美股存储芯片集体爆发，闪迪年内狂飙558%，A股核心标的曝光

记者丨李益文

编辑丨叶映橙

视频丨许婷婷

多轮狂飙之后，存储芯片概念股涨势依旧坚挺，行情热度丝毫未减。

美东时间5月8日，美股存储芯片板块再度集体爆发。闪迪大涨超16%，美光科技涨超15%，希捷科技涨超2%，三家企业股价齐齐刷新历史新高。其中，美光科技总市值突破8400亿美元，单周累计涨幅近38%。闪迪则在去年暴涨超300%的基础上，年内涨幅再度飙升至558.16%，走出超级大牛行情。

本轮存储芯片板块走出史诗级上涨行情，并非单纯市场情绪炒作，背后有着实打实的亮眼业绩作为坚实支撑。刚刚落幕的财报季中，全球头部存储厂商纷纷交出超预期成绩单，盈利爆发力超乎市场预期。三星电子2026年一季度营业利润达到57.2万亿韩元，折合人民币约2611亿元，同比暴增755.01%，创下韩国企业有史以来最强的单季盈利纪录。

全球主要硬盘厂商希捷科技发布的截至2026年4月3日的第三财季财报显示，当季实现营收31.1亿美元，同比增长44.1%；非美国通用会计准则（Non-GAAP）下净利润达9.34亿美元，同比大增129%；Non-GAAP毛利率升至47%，创历史新高；自由现金流达9.53亿美元，为近十年最高水平。

图源：澎湃新闻

供需端涨价潮是本轮行情走强的核心推手。集邦咨询数据显示，2026年一季度DRAM颗粒均价同比上涨47%，NAND Flash颗粒均价同比上涨38%，两项核心存储产品涨幅均创下近五年新高。进入二季度，涨价势头进一步加剧，行业景气度持续升温：普通型DRAM合约价预计环比大涨58%至63%，NAND Flash合约价环比涨幅更是预计达到70%至75%，价格上行空间持续打开。

作为电子设备的核心“记忆中枢”，存储芯片是承载AI算力与海量数据存储的关键元器件，行业主要分为DRAM易失性存储与NAND Flash非易失性存储两大品类。其中DRAM凭借高速读写的性能优势，成为AI服务器、高性能计算设备的刚需核心部件；NAND Flash则主要承担海量数据长期存储职能，二者共同构成AI产业发展的硬件基石。

从市场规模来看，据Omdia与世界半导体贸易统计协会（WSTS）统计，2024年全球DRAM市场规模已达976亿美元，占据存储芯片整体市场约59%的份额，是行业规模最大的细分赛道。

不过，行业格局方面，全球存储市场长期呈现国际大厂寡头垄断态势。Omdia测算数据显示，2024年全球DRAM市场中，三星、SK海力士、美光三家企业合计市占率超90%，牢牢掌控行业话语权；NAND Flash市场竞争格局虽相对分散，但依旧由三星、SK海力士、美光、铠侠等海外巨头主导。

然而，伴随AI大模型产业快速崛起，高端存储市场需求迎来井喷，也为国内存储厂商打开了弯道超车、突围崛起的窗口期。近年来，长江存储、长鑫存储等国产头部厂商加速技术攻坚与产能布局，稳步抢占市场份额，自主可控进程持续提速。

当前，国产DRAM龙头长鑫科技已开启上市进程，公司于2025年7月完成上市辅导备案，同年12月获科创板IPO受理并披露招股书。今年3月其审核状态变更为中止，但据媒体公开消息，此次中止仅为补充更新业绩数据。受益于近半年存储芯片持续大幅涨价，补充财报后公司业绩有望迎来大幅增厚，上市进程后续有望稳步推进。

与此同时，长江存储的母公司长存集团已于去年9月完成股份制改造，选定中金公司等头部投行作为上市保荐机构，正式进入IPO冲刺阶段。据了解，长江存储在芯片设计、封测、晶圆制造等领域取得重大突破，成功研发并量产多代3DNAND闪存产品，快速缩小了与全球存储大厂的差距。

除长江存储、长鑫存储两大未上市龙头外，国内一众存储芯片产业链相关企业也迎来发展机遇，国产存储版图持续扩容。从A股产业链来看，目前，国内存储芯片已形成覆盖设备原料、设计研发、封装测试、生产制造及代理分销的完整生态。

国金证券认为，国内头部晶圆厂扩产确定性增强，存储芯片因需求爆发大力扩产，前期验证导入的高端核心设备陆续通过产线验收并结转收入，规模效应与高毛利产品占比提升带动板块盈利跃升，关注存储大幅扩产、先进制程突破及自主可控加速带来的需求带动。

国泰海通证券同样认为，存储“大通胀”叠加自主可控加速，HBM4量产与产业链资本化并行。英伟达Rubin平台订单落地三星、SK海力士，HBM4 3月起量产。常规存储价格持续上修，Q1 DRAM、NAND涨幅再上调。国产端，长鑫科技IPO、江波龙等定增推进，封测、设备环节替代提速。LPDDR6下半年供货，端侧AI应用拓展。行业景气无拐点，技术迭代与自主可控双轮驱动，产业链价值重估。

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出品丨21财经客户端 21世纪经济报道

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