北京
国家知识产权局信息显示，捷捷微电(南通)科技有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构”的专利，授权公告号CN224218742U，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构包括：衬底，位于衬底表面的多个有源区沟槽、至少一个终端分压环沟槽及至少一个终端截止环沟槽；终端分压环沟槽位于有源区沟槽的外侧，并将有源区沟槽包围，终端截止环沟槽位于终端分压环沟槽的外侧；其中，至少一个终端分压环沟槽中包括距离有源区沟槽最近的目标终端分压环沟槽，目标终端分压环沟槽与有源区沟槽之间的间距、相邻两个有源区沟槽之间的间距相等。本申请提供的屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构具有稳定了器件耐压，降低器件在耐压过程中的漏电的优点。
天眼查资料显示，捷捷微电(南通)科技有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本267961.97万人民币。通过天眼查大数据分析，捷捷微电(南通)科技有限公司参与招投标项目40次，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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