芯导科技申请ESD保护器件相关专利，发明ESD保护器件及制备法，含静电保护结构

来源：新浪证券-红岸工作室

5月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“ESD保护器件及其制备方法”的专利。申请公布号为CN121985589A，申请号为CN202512005172.9，申请公布日期为2026年5月5日，申请日期为2025年12月26日，发明人郭富饶、吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼，专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李晴，分类号H10D89/60。

专利摘要显示，本发明提供了一种ESD保护器件以及ESD保护器件的制备方法，通过位于衬底内的两个静电保护结构，静电保护结构包括：沿第一方向依次分布的N型阱区、P型阱区及N型阱区，N型阱区内具有沿第一方向邻接的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，P型阱区内具有沿第一方向间隔分布的第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，其中，一个N型阱区内还具有与P型阱区邻接的P型浅掺杂区；阳极的两个连接端与阴极的两个连接端中的任一连接端均与一个对应的静电保护结构的一个第一N型重掺杂区的表面以及一个第一P型重掺杂区的表面连接；导电连接结构的两个连接端中的任一连接端均与一个对应第二P型重掺杂区的表面以及一个第二N型重掺杂区的表面连接。

芯导科技成立于2009年11月26日，于2021年12月1日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于上海。该公司是国内功率半导体领域的优质企业，专注功率半导体研发销售，技术实力较强。

芯导科技主营业务为功率半导体的研发与销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，属于半导体产业、半导体、芯片概念板块。

2025年，芯导科技营业收入3.94亿元，在行业18家公司中排名第15，远低于第一名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。其主营业务中，功率器件3.61亿元占比47.81%。净利润方面，2025年为1.06亿元，行业排名第8，第一名扬杰科技为12.45亿元，第二名捷捷微电为4.76亿元，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。

主营业务金额（亿元）占比功率器件3.6147.81%功率器件:TVS2.2229.38%功率器件:MOSFET11.81%功率器件:肖特基4.86%功率IC4.39%功率器件:其他1.76%

上海芯导电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1ESD保护器件及其制备方法发明专利公布CN202512005172.92025-12-26CN121985589A2026-05-05郭富饶、吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼2一种GaN HEMT器件结构及其制备方法发明专利公布CN202511844547.42025-12-09CN121924783A2026-04-24庞亚楠、安原、陈敏、欧新华、袁琼3一种可控硅静电防护器件及其制备方法发明专利公布CN202511746326.32025-11-25CN121568435A2026-02-24邓俊、陈敏、欧新华、袁琼、吴中瑞4静电防护器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511571936.42025-10-30CN121531787A2026-02-13吴中瑞、陈敏、欧新华、袁琼5一种单引脚的多功能复用电路及方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511579868.62025-10-30CN121618970A2026-03-06张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼6修调电路、电子设备及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511374985.92025-09-24CN121531996A2026-02-13朱同祥、符志岗、欧新华、袁琼7屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511054162.82025-07-29CN120882048A2025-10-31魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼8背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511000713.22025-07-18CN120854394A2025-10-28郭富饶、陈敏、欧新华、袁琼9屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510992217.32025-07-17CN120751721A2025-10-03罗志永、陈敏、欧新华、袁琼10高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510156412.22025-02-12CN119864781A2025-04-22周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼11高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备及系统实用新型授权CN202520225410.X2025-02-12CN223829034U2026-01-23周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼12电阻修调电路及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411985889.32024-12-31CN120074491A2025-05-30张葳、符志岗、朱同祥、欧新华、袁琼13一种静电保护器件的制备方法及结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411928637.72024-12-25CN119947145A2025-05-06郭富饶、陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼14一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、公布CN202411941642.12024-12-25CN120072774B2025-10-31符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼15一种开关芯片、电路系统及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411894195.92024-12-20CN119420175B2025-06-10符志岗、张葳、朱同祥、欧新华、袁琼16一种平面型碳化硅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411873260.X2024-12-18CN119907272A2025-04-29庞亚楠、陈敏、袁琼、史志扬、安原、高海杰、范莘培17一种修调配置电路的版图结构、电子电路以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411801807.52024-12-09CN119940269A2025-05-06朱同祥、符志岗、张葳、欧新华、袁琼18恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411471899.52024-10-21CN119628610A2025-03-14周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥19SGTMOS管的器件结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411442909.22024-10-15CN119603984B2025-09-26魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维20恒功率PWM信号控制方法、功率电路、设备以及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411315519.92024-09-19CN119382676A2025-01-28周家豪、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥21内嵌MIM结构的ESD保护器件、制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411278936.02024-09-12CN119364859A2025-01-24陈敏、郭富饶、欧新华、袁琼、戴维22一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法发明专利公布CN202411038270.12024-07-30CN118763074A2024-10-11陈敏、吴中瑞、欧新华、袁琼、戴维23一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410535561.52024-04-29CN118630057A2024-09-10庞亚楠、陈敏、欧新华、史志扬、安原、高海杰24浪涌防护芯片及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410299443.92024-03-15CN117977517A2024-05-03张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥25浪涌防护芯片及系统实用新型授权CN202420503847.02024-03-15CN222673914U2025-03-25张葳、符志岗、欧新华、袁琼、朱同祥26高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202410245652.52024-03-05CN117996710A2024-05-07周家豪、符志岗、张葳、欧新华、袁琼27双向GaNHEMT器件与双向GaNHEMT器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410141423.92024-01-31CN118263295A2024-06-28庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、安原28TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311607585.92023-11-28CN117612942A2024-02-27傅钢杰、陈敏、欧新华、袁琼、庞亚楠29沟槽栅SiCMOSFET器件结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311438222.72023-10-31CN117457739A2024-01-26庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、孙国臻、安原30一种GaNHEMT器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311183046.72023-09-13CN119698022A2025-03-25孙国臻、陈敏、欧新华、袁琼31一种双电源供电电路、电子电路及设备实用新型授权CN202322466822.62023-09-11CN220985374U2024-05-17吴晨雨、刘宗金、夏杰、欧新华、袁琼32低电容MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311007344.02023-08-10CN117038734A2023-11-10李艳旭、张凯凯、陈敏、欧新华、袁琼33SiCMOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310980949.12023-08-04CN117012828A2023-11-07庞亚楠、陈敏、欧新华、袁琼、戴维34基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备实用新型授权CN202322087945.92023-08-04CN220775393U2024-04-12张葳、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏35电荷泵预充电电路及电子设备实用新型授权CN202321994309.82023-07-26CN220475611U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏36电荷泵故障检测电路、充电插头、充电系统及电子设备实用新型授权CN202321987378.62023-07-26CN220473673U2024-02-09邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏37电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备发明专利授权、公布CN202310931651.12023-07-26CN116908743B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏38电荷泵预充电电路及电子设备发明专利授权、公布CN202310927841.62023-07-26CN116865556B2025-07-22邱星福、符志岗、欧新华、袁琼、陈敏39环境温度校准、测量装置以及系统实用新型授权CN202320377351.92023-03-01CN219657053U2023-09-08郁俊燕、陈敏、欧新华、袁琼、戴维、孙春明40肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法发明专利授权、公布CN202310046958.32023-01-31CN116072705B2025-08-26王莹、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、李艳旭41SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法发明专利授权、公布CN202211711010.72022-12-29CN116053313B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明、王莹、庞亚楠42MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备发明专利授权、公布CN202211464258.82022-11-22CN115763548B2025-08-29李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明43SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法发明专利授权、公布CN202211464292.52022-11-22CN115910793B2025-09-23李艳旭、欧新华、袁琼、陈敏、符志岗、孙春明44高精度电流采集电路以及电子设备实用新型授权CN202222314438.X2022-08-31CN218240203U2023-01-06张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼45高精度电流采集电路以及电子设备发明专利授权、公布CN202211055032.22022-08-31CN115267300B2025-07-22张葳、符志岗、邱星福、朱同祥、宁亚平、欧新华、袁琼46公共交通扶手装置实用新型授权CN202221818212.72022-07-15CN219115302U2023-06-02吴晨雨、刘宗金、夏杰、吴佳、欧新华、袁琼47GaN HEMT器件的栅极制作方法、栅极的结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202210809623.82022-07-11CN115332327A2022-11-11陈敏、戴维、欧新华、袁琼、符志岗、邱星福、朱同祥、孙春明48一种TVS器件结构以及电子设备实用新型授权CN202221648372.12022-06-29CN218101272U2022-12-20刘宗金、夏杰、吴晨雨、吴佳、欧新华、袁琼49开关频率控制电路发明专利实质审查的生效、公布CN202210550083.62022-05-20CN114977792A2022-08-30符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明50开关频率控制电路实用新型授权CN202221216601.22022-05-20CN218648730U2023-03-17符志岗、欧新华、袁琼、戴维、邱星福、刘宗金、朱晓明

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