北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种蓝绿双波外延结构及其生长方法”的专利，公开号CN121665781A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种蓝绿双波外延结构及其生长方法，该方法旨在解决现有技术中蓝光阱晶体质量差、整体发光强度低及蓝绿峰强比不可控的问题。该方法包括：在N型GaN层上生长高温前级阱；在高温前级阱上生长第一有源区；在第一有源区上生长应力释放层；在应力释放层上生长第二有源区。本发明通过在绿光阱前设置高温前级阱以抑制V型坑并提升绿光阱生长质量，并在绿光阱和蓝光阱之间设置低温、大厚度的应力释放层，以阻挡位错进入蓝光阱，并协同调控对绿光阱和蓝光阱的空穴注入。本发明可显著提升器件的整体发光强度，并实现蓝绿峰强比的有效调控。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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