国家知识产权局信息显示,聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请一项名为“一种蓝绿双波外延结构及其生长方法”的专利,公开号CN121665781A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种蓝绿双波外延结构及其生长方法,该方法旨在解决现有技术中蓝光阱晶体质量差、整体发光强度低及蓝绿峰强比不可控的问题。该方法包括:在N型GaN层上生长高温前级阱;在高温前级阱上生长第一有源区;在第一有源区上生长应力释放层;在应力释放层上生长第二有源区。本发明通过在绿光阱前设置高温前级阱以抑制V型坑并提升绿光阱生长质量,并在绿光阱和蓝光阱之间设置低温、大厚度的应力释放层,以阻挡位错进入蓝光阱,并协同调控对绿光阱和蓝光阱的空穴注入。本发明可显著提升器件的整体发光强度,并实现蓝绿峰强比的有效调控。
天眼查资料显示,聚灿光电科技(宿迁)有限公司,成立于2017年,位于宿迁市,是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析,聚灿光电科技(宿迁)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息220条,此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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