北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121240477A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括用于形成沟道凸起结构且沿第一方向延伸的有源图形区；在基底上形成凸立的伪栅结构，至少部分的伪栅结构位于有源图形区的基底上；在除有源图形区以外的其余区域中，去除部分厚度的基底，形成衬底、以及凸立于衬底的沟道凸起结构，沟道凸起结构的部分顶部被伪栅结构覆盖；在伪栅结构两侧的沟道凸起结构中形成与沟道凸起结构两端相连的源漏掺杂层；去除伪栅结构，并在伪栅结构位置处形成横跨沟道凸起结构的栅极结构。本发明实施例的伪栅结构形成在沟道凸起结构前，降低了伪栅结构的顶部至底部的距离，避免了在伪栅结构、沟道凸起结构以及衬底相交的位置出现三维拐角。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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