北京
来源：市场资讯
（来源：半导体前线）
三星电子近期通过公开招标方式，计划出售约123台半导体制造设备，其中西安工厂86台、韩国工厂37台，以精简NAND Flash业务流程，加速向200层以上NAND Flash转型。
此次出售的设备以90-65纳米成熟制程设备为主，含部分8英寸晶圆设备，涵盖存储晶圆制造全流程通用设备，包括金属薄膜成型、沉积、蚀刻等核心工具，而非特定工艺专用设备。
值得注意的是，三星此次出售的资产中，部分设备仍在运行但计划于2026年前拆除，三星已启动预售以提前锁定买家。
此次设备清理的核心背景是三星西安工厂NAND Flash产线升级。此前消息显示，三星已停止西安128层（V6）生产线，集中量产236层（V8）NAND，并计划2026年前推出286层（V9）生产线，未来还将布局400层以上产品。这被解读为应对竞争对手、强化技术优势的举措 。
三星已加强对设备销售的管控，以防止设备转移至受限制实体，并首先评估内部再利用的可能性，同时对投标人进行资格审查。
资料显示，中国西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对该公司全球供应链至关重要，生产了该公司约40%的NAND Flash。
业内人士表示，当前存储器行业正通过重组兼顾产品进步与运营效率，各企业均在灵活调整生产策略适配市场。
需要提及的是，三星加速转型的背后，是AI基础设施对高性能存储的饥渴需求——企业级SSD需要更高密度、更低功耗的NAND，200层以上的技术壁垒构成了三星与后来者之间的护城河。
随着高密度、高容量、高性能产品在存储器行业的占比不断扩大，存储晶圆厂进行产线升级，并清理利用率相对较低的设备、提高生产效率已成为一种持续的趋势。
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