北京
国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“RRAM存储器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122054598A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种RRAM存储器件结构及其制备方法，通过提供连接层，并在连接层内设置具有预设表面曲率的导电通孔，以及将存储单元对应设置在导电通孔上，使得存储单元在形成过程能够与导电通孔的下凹面适配并形成凹陷区。本申请提供的RRAM存储器件结构在施加编程信号后，其对应产生的电场将在存储单元的内部凹陷区聚集，并引导电场线向凹陷区曲率中心聚集，从而提高导电细丝在存储单元内预设区间的形成概率，达到控制提升RRAM器件电学性能的均匀性与可靠性的目的。
天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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