三星员工自曝：内部一片混乱，都想跳槽SK海力士

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14日，一篇题为“我是三星半导体研究员”的在线社区帖子发布。作者写道：“最近的气氛让人感觉公司快要崩溃了”，详细描述了由于绩效奖金纠纷和工会宣布罢工，公司内部士气低落的情况。罢工期间（5月21日至6月7日），所有部门成员都申请了年假，即使发送了工作相关的邮件，也鲜有人回复。据说，管理层还建议推迟会议，导致员工采取消极抵抗的态度。一些研究员甚至因为担心被调到非存储器部门而避开代工（半导体代工制造）和系统级芯片（半导体设计）项目。作者声称，公司匿名留言板上充斥着大量实名签名，表明他们愿意参与罢工。

当被问及该帖子的真实性时，多名三星电子员工表示：“虽然发帖人身份不明，但这些确实是三星电子内部存在的问题。”一位管理层员工表示：“确实存在员工在管理层或经理面前公开批评公司，并拒绝配合，除非公司承认他们参与了实名罢工。”他还补充道：“SK海力士发布招聘信息时，大多数部门员工都会申请。”

在各方持续努力调解以阻止罢工之际，三星电子内部人士警告称，公司文化将面临“根本性的变革”。据报道，该公司旨在超越全球领先企业并实现“超级差距”的企业文化正在瓦解。这种情况不仅可能影响其与SK海力士在HBM（高带宽存储器）领域的持续竞争，还可能影响未来的半导体研发竞赛。即便政府启动紧急调解程序以制止罢工，问题依然存在：公司内部的文化裂痕和组织瓦解能否在短期内得到解决？

员工A表示：“已有超过3万名员工将内部通讯软件的昵称改为‘5.21’（罢工开始日期）或‘罢工’。”他还补充道：“罢工员工公开侮辱未参与罢工的同事，甚至当着经理的面公开批评公司。”

最严重的问题是人才的心理疏离和消极抵制。员工B表示：“SK海力士发布招聘信息时，部门里90%以上的人都会申请——每个人都说如果有机会就想出国。”员工C指出：“半导体部门内部，像晶圆代工和系统级芯片（LSI）这类亏损业务的规避现象日益严重，加班的人也越来越少。我不确定，难道非得让那些加班的人感到不安，而不是那些准时下班的人，这公平吗？”这预示着下一代半导体研发的持续性正面临危机。

冲突不断升级：罢工同事与非罢工同事之间的冲突、半导体部门与非半导体部门之间的利益冲突、半导体行业内部存储器与代工/系统级芯片部门之间的摩擦，以及员工跳槽到竞争对手的意愿。其结果是“为公司团结奋斗”的集体动力逐渐减弱。

三星电子占韩国出口总额的近20%，半个多世纪以来一直是顶尖工程人才的聚集地。公司内部的分裂不仅仅是内部冲突，更预示着韩国产业竞争力核心引擎的动摇。员工公开表现出的消极抵抗、同侪压力以及离职意愿，不仅损害了管理层，也削弱了整个半导体行业的竞争力。

数十年来，三星奉行“人才优先”和“行业领先薪酬”的政策，并坚持非工会化的管理模式。其隐含的共识是：公司提供最优厚的待遇，员工则以卓越的业绩作为回报。这一原则推动三星成为全球领先企业，并创造了巨大的市场差距。

如今，这种信任模式正在瓦解。员工E解释说：“员工们早就注意到，在经济低迷时期，管理层会说‘为了公司忍耐’，但在经济繁荣时期，他们又会说‘这是外部环境造成的’。”尽管三星管理层意识到问题的严重性，但在半导体市场充满不确定性且需要大举投资的情况下，满足员工的需求却面临挑战。产业通商资源部长官金正宽表示：“半导体行业是一个赢家通吃的行业，竞争的关键在于投资的‘速度’和‘规模’。工艺必须每隔一两年就进行创新，而生存需要每个晶圆厂超过60万亿韩元的巨额投资。”

首尔大学电子电气工程学院的李钟浩教授建议：“劳资双方都应避免采取挑衅行为。公司应主动与工会分享非机密的内部信息，并通过解释和说服员工接受长期利润分享计划来建立信任。”

内存价格有长期上涨风险

随着三星电子机构部门（半导体）罢工的可能性越来越大，一些人认为这可能成为第二个催化剂，进一步推高DRAM和NAND闪存的价格。此前，主要市场研究机构预测，第二季度内存合约价格将创下历史最大涨幅。分析师表示，罢工带来的供应风险与市场进入高峰期重叠，可能会使市场冲击超出预期。

据业内人士15日透露，三星电子半导体工会的罢工风险或将给今年的存储器半导体价格周期带来第二次冲击。此前，国内外市场研究机构和投资银行普遍预期DRAM和NAND闪存价格将在第三季度达到峰值，并从第四季度开始逐步企稳。但三星电子劳资谈判破裂引发的罢工风险已成为新的变数。

前一天，三星电子半导体工会拒绝了管理层提出的续谈提议，此举实际上导致了罢工的发生。据了解，三星半导体业务的主要客户已开始采取先发制人的措施来降低风险。一位半导体行业人士表示：“无论是否发生罢工，目前的形势本身就是一种心理因素，推高了DRAM和NAND闪存的价格。”他还补充道：“这让本已面临内存短缺的大型科技公司、PC和智能手机制造商更加雪上加霜。”

据外媒报道，三星半导体业务的主要客户，包括苹果和惠普，已询问罢工可能造成的影响，高带宽内存（HBM）客户也在密切关注罢工是否会发生。三星电子试图通过向主要客户保证“供应不会中断”来安抚客户的担忧，但部分客户仍然担心罢工会导致生产中断，并进一步推高DRAM和NAND闪存的价格。

KB证券研究主管金东元表示，三星半导体业务的罢工风险“如同火上浇油”。全球存储器市场已进入“结构性供应悬崖”阶段，供应无法满足人工智能（AI）基础设施爆炸式增长的需求。由于三星电子和SK海力士的大部分DRAM产量都集中在用于AI服务器的HBM闪存上，通用DRAM和NAND闪存的供应量已经减少，美国大型科技公司甚至提供巨额预付款来扩建AI数据中心。

据KB证券称，如果三星电子半导体工会成员中有30%至40%参与罢工，全球DRAM供应预计将中断3%至4%，NAND闪存供应预计将中断2%至3%。虽然这些比例看起来不大，但专家表示，在当前供应短缺的情况下，这样的中断幅度可能成为价格飙升的决定性因素。据了解，全球DRAM库存仅能满足四到六周的需求。

这可能会使内存价格的峰值阶段比此前的预测持续更久。此前，海外主要投资银行和市场研究公司在预测供需关系时，均认为DRAM和NAND闪存的价格将在第三季度达到峰值，并从第四季度开始逐步趋于稳定。但分析师表示，如果三星电子的半导体罢工真的发生，峰值可能会推迟到第四季度之后，这将对消费者感知到的价格产生更大的影响。TrendForce预测，内存短缺将持续到2027年。

（来源：编译自chousun）

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