北京
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国家知识产权局信息显示，铨心半导体异质整合股份有限公司申请一项名为“具有侧边互连的高频宽存储器堆叠及具有该存储器堆叠的三维集成电路结构”的专利，公开号CN122002817A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种集成电路结构包含：存储器堆叠，其具有彼此水平分离的半导体晶片，其中每一半导体晶片具有顶面、底面、四个侧壁及多个沿着侧壁布置的边缘垫。所述集成电路结构进一步包含：存储器控制器，其位于第一存储器堆叠下方且电性连接到每一半导体晶片的边缘垫、处理器电路，其位于存储器控制器上方并与其电性连接，以及封装基板，其位于存储器控制器下方并与其电性连接。存储器控制器的晶片面积大于存储器堆叠的水平剖面面积与处理器电路的晶片面积的总和。封装基板与存储器控制器之间不存在中介层，且每一半导体晶片中不存在硅通孔。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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