北京
国家知识产权局信息显示，瑶曦科技（厦门）有限公司取得一项名为“一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构”的专利，授权公告号CN224212822U，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本实用新型涉及氧化镓晶体生长技术领域，公开了一种VB法生长氧化镓单晶的坩埚结构，其包括：坩埚外壳、籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，坩埚外壳内设有籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，籽晶腔设置在坩埚外壳的一端部，且籽晶腔的一端为封闭设置，籽晶腔的另一端连接扩径腔，扩径腔连接缩径腔，缩径腔连接扩肩腔，扩肩腔连接等径腔，等径腔的另一端为开口设置。通过对氧化镓生长技术的合理化设计，采用坩埚外壳、籽晶腔、扩径腔、缩径腔、扩肩腔和等径腔，可实现氧化镓晶体生长和降温时与坩埚壁相分离，不容易出现位错增殖和孪晶结构，降低晶体位错密度，改善半导体芯片性能。该坩埚结构可制备低位错密度的圆柱状氧化镓单晶。
天眼查资料显示，瑶曦科技（厦门）有限公司，成立于2024年，位于厦门市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶曦科技（厦门）有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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