三星电子推出8nm eMRAM

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。

三星电子正利用其eM RAM（嵌入式 磁性 随机 存取 存储器）技术，加强与全球汽车制造商的代工合作。eM RAM是一种高性能、低功耗的专用存储器，适用于自动驾驶和电动汽车。近期，该公司一直致力于进军汽车半导体市场，并采用其旗舰级8nm（纳米，1/10亿米）工艺实现eMRAM。

根据8日在ISSCC 2026上发布的资料，三星电子即将实现其下一代汽车半导体解决方案“8nm eMRAM”的量产。三星通过实际测量数据验证了该产品在0.6V超低电压环境下的运行性能，正式确认其技术已达到商业化成熟水平。

8nm eM RAM 拥有业界领先的低功耗和高速性能。根据三星电子发布的详细数据，即使在 0.6V 的超低电压环境下，其读取速度也高达 125MHz。该规格针对对能效要求极高的电动汽车以及需要实时执行复杂计算的自动驾驶微控制器单元 ( MCU) 进行了优化。与上一代 14nm 工艺相比，性能提升更为显著。8nm eM RAM 的芯片密度比 14nm 工艺提高了 30%，数据读取速度提高了 33%。这意味着在相同面积的芯片上集成更多功能的同时，信息处理效率得到了提升。

eMRAM之所以被视为汽车半导体市场的关键技术，在于其无与伦比的可靠性和速度。eM RAM 具有与 NAND 闪存类似的非易失性特性（即使断电也能保留数据），但其数据处理速度比 NAND 快 1000 倍。

鉴于汽车半导体器件的特性，它们必须在-40°C至+150°C的极端驾驶环境下稳定运行且不丢失数据，因此耐热且高耐久性的eM RAM被认为是替代传统闪存的最佳解决方案。三星电子还可以通过8纳米工艺的微型化显著降低功耗，从而为延长电动汽车的续航里程做出贡献。

三星电子已将eM RAM视为其晶圆代工业务的未来增长引擎，并正按计划推进其发展。该公司于2024年底完成了14nm eM RAM工艺的研发。基于此，三星电子与现代汽车公司签订了供货合同，从而获得了重要的参考数据。

三星电子计划于2026年开始8nm eMRAM的全面量产。该公司还计划在2027年前将eM RAM的应用扩展到5nm工艺，以扩大基于超精细工艺的汽车嵌入式存储器市场的技术差距。一位半导体行业人士表示：“继获得特斯拉2nm自动驾驶芯片订单后，三星电子通过与现代汽车公司在eM RAM领域开展合作，进一步强化了其汽车产品组合。”他补充道：“8nm eM RAM的研发似乎表明了三星巩固其汽车领域参考数据的决心。”

（来源：编译自naver）

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4401内容，欢迎关注。

加星标⭐️第一时间看推送

求推荐