北京
一场持续数年的专利拉锯战迎来终局。5月8日，英诺赛科宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第337-TA-1414号调查中作出最终裁定，确认其氮化镓（GaN）功率器件产品未侵犯英飞凌相关专利，可不受限制继续在美国进口和销售。
这场诉讼始于2023年。英飞凌指控英诺赛科侵犯其两项核心专利：第9,070,755号专利涉及电极设计，第9,899,481号专利涉及封装设计。ITC全体委员经审查后一致认定，英诺赛科现有产品均未落入这两项专利的保护范围。
裁决书中有一项细节值得注意。ITC认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，但仅被英诺赛科"早已停止生产和销售的历史旧产品"侵权。这意味着相关禁令只针对已退市的老型号，对当前在美业务几乎无实质影响。
英诺赛科总部位于珠海，是国内氮化镓半导体领域的头部企业，产品线覆盖高低压氮化镓电源IC及功率半导体。2024年底，该公司在香港联交所主板挂牌，成为"国内氮化镓第一股"。此次胜诉为其海外扩张扫清了关键障碍。
氮化镓功率器件正快速渗透消费电子、数据中心、新能源汽车等市场。美国是全球最大的半导体消费市场之一，专利壁垒的突破意味着英诺赛科可以全力参与当地竞争，而无需为潜在的禁令风险预留冗余产能或替代方案。
英飞凌的诉讼策略并未达到预期效果。从终裁结果看，ITC对专利侵权的认定范围被压缩至历史产品，且未支持任何针对现有产品的限制措施。对于正在冲刺海外市场的中国功率半导体企业而言，这一案例提供了重要的应诉参考。
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