从刻蚀到薄膜、CMP：中微公司正在冲击半导体设备平台化的下一关

中微公司：AI 基础设施背后的“微观加工平台”，从刻蚀龙头走向设备集团化

过去两年，AI 基础设施投资的显性主线是 GPU、HBM、先进封装、光模块、硅光子、液冷和数据中心电力。

但如果继续向产业链上游追问，所有这些环节最终都会落到一个更基础的问题：先进芯片、先进存储、先进封装和光电器件能不能被稳定制造出来。

中微公司正处在这个底层位置。

它不是 AI 芯片公司，不是硅光子公司，也不是光模块公司。它真正的产业位置，是半导体微观加工设备平台：刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD 设备，以及正在通过外延并购补齐的 CMP 等湿法设备能力。

从投资视角看，中微公司的核心命题已经不只是“国产替代”。更重要的是：中国半导体设备公司能不能从单项设备突破，升级为覆盖先进逻辑、先进存储、先进封装、化合物半导体和未来硅光工艺的高端设备平台。

一、事件表层：2025 年高增长，2026 年一季度继续放量

先看业绩。

2025 年，中微公司实现营业收入约 123.85 亿元，同比增长约 36.62%；归母净利润约 21.11 亿元，同比增长约 30.69%；扣非归母净利润约 15.50 亿元，同比增长约 11.64%。其中，刻蚀设备销售约 98.32 亿元，同比增长约 35.12%；以 LPCVD 为代表的薄膜设备销售约 5.06 亿元，同比增长约 224.23%。

2026 年第一季度，公司继续保持增长：营业收入 29.15 亿元，同比增长 34.13%；归母净利润 9.30 亿元，同比增长 197.20%；扣非归母净利润 4.78 亿元，同比增长 60.09%；研发支出 9.08 亿元，占收入比例 31.14%。不过，一季度归母净利润大幅增长中包含出售部分拓荆科技股票带来的约 3.97 亿元税后收益，因此更应关注扣非利润和主业毛利扩张。

这组数据说明两件事。

第一，中微公司的主业已经不再是小规模验证，而是规模化量产设备公司。 公司累计已有超过 8300 个反应台在国内外 180 余条客户芯片及 LED 生产线量产。

第二，公司正在从“刻蚀单强”走向“刻蚀+薄膜+MOCVD+量检测+湿法”的平台化阶段。 这才是中微公司估值体系可能上台阶的核心。

二、核心命题：AI 算力竞争，最终会传导为设备能力竞争

AI 基础设施最直接的需求是 GPU、HBM、DRAM、NAND、先进封装和高速互联。但这些产品背后的制造环节，对设备能力的要求正在急剧提高。

大模型训练和推理带动先进逻辑芯片需求；HBM 和高容量 DRAM 带动先进存储扩产；Chiplet、2.5D/3D 封装和 TSV 带动先进封装设备需求；CPO、硅光子和光电集成带动更高精度的刻蚀、薄膜、外延和检测工艺需求。

中微公司的主力产品正好卡在这些制造节点上。

公司年报披露，其 CCP 高能等离子体和 ICP 低能等离子体刻蚀两大类、二十几种细分刻蚀设备，已覆盖大多数刻蚀应用，并广泛用于国内外一线客户从 65 纳米到 3 纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用；同时，公司近十年重点开发 LPCVD、ALD、EPI 等导体和半导体化学薄膜设备，并在 MOCVD 设备上保持全球氮化镓基 LED 领域领先地位。

这意味着，中微公司并不是只受益于国内晶圆厂扩产，而是受益于一个更大的结构性变化：AI 芯片制造复杂度提升后，刻蚀、薄膜、外延、量检测、CMP 等设备的价值量和工艺重要性都会上升。

三、技术逻辑：刻蚀和薄膜不是配角，而是先进制程的“二次光刻”

很多人把半导体设备简单理解为“光刻机最重要，其他设备次之”。这个理解在先进制程和先进存储时代已经不够准确。

光刻定义图形，但真正把图形转移到材料结构里，依赖刻蚀；在多层结构、高深宽比结构、3D NAND、DRAM、GAA、先进封装中，刻蚀和薄膜的工艺难度会显著提高。

中微公司年报也指出，微观器件缩小和存储器从 2D 到 3D 的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为关键核心步骤；由于光刻机波长限制，先进微观结构需要依靠刻蚀和薄膜组合形成“双重模板”“四重模板”等工艺，刻蚀机和薄膜设备的重要性持续提高。

中微的技术路线可以分三层看：

第一层是刻蚀基本盘。
CCP 刻蚀主要面向介质刻蚀、高深宽比刻蚀等关键工艺；ICP 刻蚀则更多用于逻辑、存储、金属、硅和化合物材料等更复杂刻蚀场景。2026 年一季报披露，公司下一代 90:1 超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端验证；第二代 ICP 刻蚀设备 Primo Angnova 在 3D DRAM 应用中取得 140:1 高深宽刻蚀结果和形貌控制能力；化学气相刻蚀设备 Primo Domingo 实现大于 700:1 的 SiGe/Si 高选择比，并面向 GAA 和 3D DRAM 关键工艺验证。

第二层是薄膜设备第二曲线。
公司在 LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD 等薄膜设备上新增付运量快速增长。2026 年一季报提到，2025 年薄膜设备营收同比大幅增长约 224.23%，成为业绩增长的重要新引擎；ALD 产品面向先进逻辑和先进存储金属栅应用，核心金属薄膜沉积产品也在开发中。

第三层是泛半导体和先进封装延展。
公司用于 2.5D、3D 先进封装硅通孔的 Primo TSV 300E 持续服务客户并获得重复订单；该产品还在 12 英寸高深宽比深槽电容刻蚀和 SoIC WoW 工艺上完成开发，并在国内头部客户产线上验证。

从硅光子角度看，中微不是直接的硅光芯片或光模块公司，但硅光工艺同样需要刻蚀、薄膜沉积、外延和检测能力。中微的相关性在于：它具备进入硅光和光电子制造工艺链的设备基础，但附件材料尚未证明硅光已成为其明确收入主线。 因此，不能把中微简单包装成“硅光子标的”，更准确的定位是：硅光、CPO、光电融合未来若产业化加速，中微属于上游工艺设备的潜在受益者。

四、产业链位置：中微是 AI 芯片制造的“上游卖铲人”

中微公司位于晶圆制造设备和泛半导体设备环节，客户包括集成电路、LED 外延片、功率器件、先进封装、MEMS 等制造企业。其商业模式是销售刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD 设备，并提供配件和服务。

这个位置有三个特点。

第一，设备壁垒极高。 设备不是交付硬件就结束，而是要进入客户产线，完成工艺调试、良率验证、稳定运行和长期服务。2025 年专用设备销售收入约 105.27 亿元，占当年营业收入约 85%，收入确认需要设备安装、调试并经客户确认验收。

第二，客户粘性强。 半导体制造产线一旦导入某类设备，后续复购往往与工艺一致性、设备稳定性、良率数据和服务能力绑定。中微累计数千个反应台量产，本质上是长期客户数据资产。

第三，平台化扩张空间大。 公司已不满足于刻蚀设备，而是在薄膜设备、量检测设备、MOCVD、先进封装设备以及 CMP 等方向扩张。2025 年年报披露，公司开发的设备包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD 设备及其他设备，并已形成 37 种成熟设备产品系列。

这就是中微区别于普通设备公司的地方：它不是单点国产替代，而是有机会成为中国半导体设备平台型公司。

五、商业化路径：从刻蚀龙头，到“干法+湿法”平台

中微公司的商业化路径可以分为三段。

第一阶段：刻蚀设备构成现金牛

刻蚀设备仍是公司收入核心。2025 年刻蚀设备销售约 98.32 亿元，同比增长约 35.12%。这说明公司在先进逻辑和先进存储关键刻蚀工艺上的新增付运量正在转化为收入。

这部分业务的价值在于确定性高、客户基础深、复购能力强，是中微公司现金流和研发投入的基础。

第二阶段：薄膜设备打开第二增长曲线

薄膜设备是中微未来三到五年最值得跟踪的变量之一。2025 年，以 LPCVD 为代表的薄膜设备收入约 5.06 亿元，同比增长约 224.23%；2026 年一季报也继续强调 LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD 等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长。

如果中微能在薄膜设备上形成类似刻蚀设备的客户验证和复购曲线，它就不再只是刻蚀龙头，而是更接近国际设备平台公司的雏形。

第三阶段：收购杭州众硅，补齐 CMP 湿法能力

2026 年 4 月的重组报告书显示，中微拟通过发行股份及支付现金购买杭州众硅 64.69% 股权，交易价格 15.76 亿元；杭州众硅主要从事 CMP 设备研发、生产与销售，属于上市公司的同行业或上下游，并与中微主营业务具有协同效应。

这笔交易的战略意义不在财务规模，而在设备版图。

刻蚀、薄膜属于典型“干法”工艺，CMP 属于平坦化和湿法相关的重要设备环节。中微年报也明确提到，购买杭州众硅控股权是从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案跨越，填补上市公司在湿法设备领域的空白，并提升先进制程系统级解决方案能力。

这意味着中微正在从“产品公司”向“设备集团”演进。

六、投资判断：长期结构性机会成立，但不是简单高景气线性外推

我的判断是：

中微公司已经从国产刻蚀设备龙头，进入高端半导体设备平台化验证期。

短期看，公司受益于国内晶圆厂扩产、先进存储和先进逻辑设备需求、国产设备导入加速。2025 年收入突破百亿，2026 年一季度延续高增，说明订单和交付能力仍在兑现。

中期看，关键变量是薄膜设备能否持续放量。刻蚀设备已经证明了中微的客户验证能力和量产能力；薄膜设备如果继续高增长，公司的收入结构和估值逻辑会明显变化。

长期看，更大的变量是平台化。中微正在向 MOCVD、EPI、ALD、PVD、PECVD、量检测、CMP、先进封装设备等方向延伸。若未来形成“刻蚀+薄膜+平坦化+量检测”的组合，公司有机会从国产替代龙头变成中国少数具备设备平台能力的硬科技公司。

从 AI 基础设施投资角度，中微公司的优势在于三点：

第一，它位于 AI 算力产业链最上游。 GPU、HBM、DRAM、NAND、Chiplet、CIS、功率器件、光电器件的扩产，最终都会传导到设备需求。

第二，它拥有真实客户验证和量产数据。 半导体设备最难的是进入客户产线并长期稳定运行，而不是发布新品。

第三，它的产品矩阵具备横向扩张潜力。 刻蚀是基本盘，薄膜是第二曲线，CMP 和量检测是平台化期权。

但投资上不能过度线性外推。设备公司收入受客户资本开支、验收节奏、产线扩建周期影响很大。公司 2026 年一季度经营活动现金流为 -1.59 亿元，同比下降，说明设备交付、采购、验收和回款节奏仍可能造成波动。

七、风险与反例：设备平台化不是“多买几家公司”就能完成

中微公司的风险主要有六类。

第一，行业周期风险。 半导体和 LED 设备行业受下游市场及终端需求波动影响，具有周期性。若宏观经济疲软、终端需求下滑，客户可能减少设备采购。

第二，国际竞争风险。 全球高端设备仍由 Applied Materials、Lam Research、TEL、KLA 等国际巨头主导。中微在国内市场取得突破，但先进制程和全球客户导入仍需持续验证。

第三，研发投入压力。 2025 年研发投入约 37.44 亿元，同比增长约 52.65%，占营业收入比例约 30.23%；这说明公司持续投入强，但也意味着新产品导入不及预期时，利润弹性会受到压制。

第四，收入确认和验收节奏风险。 专用设备销售收入需要客户验收确认，审计报告也将专用设备收入确认列为关键审计事项。这意味着设备发货不等于收入确认，收入节奏可能波动。

第五，并购整合风险。 杭州众硅并购补齐 CMP 很有战略意义，但重组报告书提示，若标的未来经营状况恶化，存在商誉减值风险；同时其 2026—2028 年收入承诺分别不低于 2.8 亿元、4.3 亿元和 5.8 亿元，但补偿覆盖率约 14.77%，无法覆盖全部交易对价。

第六，硅光叙事过度外推风险。 中微的刻蚀、薄膜、外延能力确实与硅光和光电集成制造相关，但目前附件材料没有显示硅光已成为公司收入主线。因此，硅光相关性应视为长期工艺期权，而不是当期业绩基础。

八、最终结论：中微公司的核心变量，是能否从“刻蚀龙头”进化为“设备平台”

中微公司最值得关注的，不是某一个季度利润增长，也不是国产替代标签，而是它是否正在完成一次公司定位升级：

从刻蚀设备龙头，升级为中国高端半导体微观加工设备平台。

它的基本盘是刻蚀设备；增长盘是 LPCVD、ALD、EPI、PVD、PECVD 等薄膜设备；长期期权是 MOCVD、量检测、先进封装设备、CMP，以及未来硅光和光电融合制造工艺需求。

未来需要重点跟踪五个硬指标：

第一，刻蚀设备在先进逻辑、先进存储关键工艺中的新增验证和复购；
第二，薄膜设备收入占比能否持续提升；
第三，杭州众硅 CMP 并购能否顺利整合并兑现收入承诺；
第四，研发投入能否转化为 20 款以上新设备的真实订单和客户验收；
第五，硅光、先进封装、功率器件等泛半导体场景能否从工艺覆盖走向规模收入。

中微公司不是 AI 概念股，而是 AI 基础设施上游最核心的设备资产之一。

如果 AI 算力继续扩张，先进逻辑、HBM、DRAM、3D NAND、Chiplet、先进封装和硅光工艺都将提高对刻蚀、薄膜、平坦化、外延和检测设备的需求。中微公司押注的，正是这场硬科技长期竞争中最底层、最难、也最有平台价值的环节。

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