北京
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中国芯片领域迎来重磅喜讯！近日，国防科技大学联合中科院金属研究所团队对外宣布，全球首次实现高性能P型二维半导体材料氮化钨硅的晶圆级、可掺杂、可量产制备，相关成果发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。
长久以来，传统硅基芯片逼近物理极限，摩尔定律逐渐失效，1nm以下工艺似乎再无突破可能。在此背景下，二维半导体凭借其独特优势，被视为后摩尔时代的“救星”。此次突破，首创高性能P型材料单层氮化钨硅二维薄膜，跳出了传统硅基芯片依赖光刻机的发展路径。让中国芯片彻底摆脱光刻机束缚，走出一条“换道超车”的全新路径。
本次成果攻克了材料掺杂、工程化集成等产业化难题，实现晶圆级量产制备，标志着国产二维半导体技术从科研迈向实用化、量产化阶段。由此，芯片设计解锁新性能与功耗天花板，设备制造有望全链条国产。AI、新能源、航天等下游产业将全面受益，产业安全有了坚实保障。中国芯，从此迈入芯时代！#二维半导体#芯片 #摩尔定律
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