北京
国家知识产权局信息显示，北一半导体科技（广东）有限公司申请一项名为“低翘曲变形的SiC功率模块互连结构、SiC功率模块及其制备方法”的专利，公开号CN121666099A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开低翘曲变形的SiC功率模块互连结构、SiC功率模块及其制备方法，涉及半导体制备领域。该低翘曲变形的SiC功率模块的制备方法，包括基板与缓冲层预处理及装配、芯片贴装与互连层烧结、电极连接与应力隔离和封装集成与稳定化处理步骤。该低翘曲变形的SiC功率模块的制备方法，构建预处理、烧结、焊接和封装全流程协同控应力体系，钛‑铜复合缓冲层与殷钢缓冲片形成双重应力缓冲屏障，四段式烧结与梯度冷却精准释放热应力，电极连接与封装工艺的应力匹配设计，有效抑制各环节热应力累积，显著降低基板翘曲变形，同时保障SiC功率芯片与覆铜陶瓷基板的冶金结合可靠性，大幅提升模块散热效率和长期工作稳定性。
天眼查资料显示，北一半导体科技（广东）有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6031.144026万人民币。通过天眼查大数据分析，北一半导体科技（广东）有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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