北京
金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120186994A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成存储单元，存储单元包括：作为下拉晶体管的第一晶体管和第二晶体管，作为上拉晶体管的第三晶体管和第四晶体管，以及作为传输门晶体管的第五晶体管和第六晶体管；其中，第一晶体管和第三晶体管堆叠设置，且第一晶体管的第一栅极的顶部和第三晶体管的第三栅极的底部连接，第一栅极和第五晶体管的第五栅极共用沟道层；所述第二晶体管和所述第四晶体管堆叠设置，且所述第二晶体管的第二栅极的顶部和所述第四晶体管的第四栅极的底部连接，所述第二晶体管的第二栅极和所述第六晶体管的第六栅极共用沟道层。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息332条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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