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金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，东南大学;成都三零嘉微电子有限公司申请一项名为“基于SRAM的随机数发生器、方法及装置”的专利，公开号CN119960728A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于SRAM的随机数发生器、方法及装置，属于集成电路领域，包括：利用SRAM中不稳定节点的随机变化以及哈希的雪崩效益，通过在片内对SRAM不断的掉电和上电产生源源不断的真随机数。本发明的随机数发生器较传统的真随机数发生器具有面积小、功耗低的优点，还可以复用为SRAM存储器。
本文源自：金融界
作者：情报员
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