北京
国家知识产权局信息显示，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司申请一项名为“一种双面减薄控制硅片弯曲度的方法”的专利，公开号CN122033715A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种双面减薄控制硅片弯曲度的方法。该方法旨在将双面减薄工序从一个被动的“形变产生源”转变为一个主动的“形貌矫正器”。其步骤包括：获取来料硅片的弯曲度值并设定最终目标弯曲度值；基于形貌中和模型计算目标DSG形貌及所需引入的形变量ΔBOW，并据此推导砂轮的目标减薄位置与角度参数；执行减薄位置与砂轮角度的协同调整后进行DSG加工；最后对加工后形貌进行检测与反馈微调。该方法通过模型预测与工艺设计，实现了对硅片最终弯曲度值的“自定义塑形”，使其不受来料束缚，能够稳定、高效地将弯曲度值精确调控至目标范围，显著提升了产品良率与工艺柔性。
天眼查资料显示，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司，成立于2018年，位于嘉兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本180000万人民币。通过天眼查大数据分析，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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