国家知识产权局信息显示,金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司申请一项名为“一种双面减薄控制硅片弯曲度的方法”的专利,公开号CN122033715A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种双面减薄控制硅片弯曲度的方法。该方法旨在将双面减薄工序从一个被动的“形变产生源”转变为一个主动的“形貌矫正器”。其步骤包括:获取来料硅片的弯曲度值并设定最终目标弯曲度值;基于形貌中和模型计算目标DSG形貌及所需引入的形变量ΔBOW,并据此推导砂轮的目标减薄位置与角度参数;执行减薄位置与砂轮角度的协同调整后进行DSG加工;最后对加工后形貌进行检测与反馈微调。该方法通过模型预测与工艺设计,实现了对硅片最终弯曲度值的“自定义塑形”,使其不受来料束缚,能够稳定、高效地将弯曲度值精确调控至目标范围,显著提升了产品良率与工艺柔性。
天眼查资料显示,金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司,成立于2018年,位于嘉兴市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本180000万人民币。通过天眼查大数据分析,金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目20次,专利信息16条,此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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