北京
国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种无源波导对接激光器的结构及其制作方法”的专利，公开号CN122000790A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体发光器件技术领域，提供了一种无源波导对接激光器的结构及其制作方法。结构包括衬底、外延结构和对接结构；对接结构包括第一对接部分和第二对接部分，所述第一对接部分是在对外延结构进行刻蚀得到对接沟道和对接台阶后，在对接沟道中生长多个功能层得到的；第二对接部分是在对接台阶的表面和第一对接部分的表面生长多个功能层得到的；第一对接部分中的一个或多个功能层被设计为电流阻挡结构；所述电流阻挡结构为反向PN结或包含Fe‑InP的半绝缘掺杂生长结构。本发明通过在对接结构中设置电流阻挡结构，从而能够减小无源波导区电流泄露带来的损耗，进而提升激光器性能、降低电流阈值、提升可靠性、提高频响性能。
天眼查资料显示，武汉光迅科技股份有限公司，成立于2001年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80667.5752万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2434次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1897条，此外企业还拥有行政许可97个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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