北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“超结功率半导体装置”的专利，授权公告号CN224178517U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本描述提供了一种超结功率半导体装置。一种示例超结功率半导体装置具有半导体材料的管芯，该管芯包括具有第一掺杂类型的结构层，该管芯具有形成有源单元的有源区和在管芯的外围处围绕有源区的边缘区。边缘区处的边缘终止布置具有延伸穿过结构层的多个边缘终止沟槽，所述多个边缘终止沟槽用电介质材料填充并且在其侧壁处具有第二掺杂类型的相应掺杂层。边缘终止布置具有电连接结构，以将边缘终止沟槽的侧壁处的相应掺杂层电连接在一起。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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