中欣晶圆申请硅片降镍法相关专利，降低硅抛光片体镍含量的方法及处理流程

来源：新浪证券-红岸工作室

4月18日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种降低硅抛光片体镍含量的方法”的专利。申请公布号为CN121888877A，申请号为CN202511938463.7，申请公布日期为2026年4月17日，申请日期为2025年12月22日，发明人高威、张森阳，专利代理机构杭州九洲专利事务所有限公司，专利代理师姚旺波，分类号H10P36/00、H10P36/20、H10P70/00。

专利摘要显示，本发明涉及半导体生产技术领域，尤其是一种降低硅抛光片体镍含量的方法，包括:S1.硅片加工阶段，体镍吸杂层构建背封多孔硅吸杂层：在硅片背面通过电化学腐蚀形成多孔硅层，孔隙率40%‑60%，退火后成为镍陷阱位点；低温氧沉淀预处理：抛光前在氮气中退火一段时间，形成纳米级氧团簇作为体内吸杂中心；S2.抛光后处理：以去离子水为溶剂，配制含有EDTA‑2Na、柠檬酸、氢氟酸和冰醋酸的混合水溶液，在60℃超声处理一段时间，作为活化螯合剂清洗液；光辅助增强：使用活化螯合剂清洗液对硅抛光片进行清洗时，辅以紫外光照射，螯合剂优先与晶格间隙镍形成水溶性络合物[Ni‑EDTA]2‑。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息445条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖2改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀3针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东4一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳5检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧6一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群7一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃8降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏9基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红10一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎11一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮12颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌13针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮14一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳15一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏16一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊17基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜18采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏19基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉20针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞21一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌22硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮23区分PV型与PI型硅片的方法发明专利公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋24预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领25铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋26降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓27用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇28APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午29基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛30外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧31基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午32硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛33一种半导体双面研磨机纳米级复合研磨粉及研磨液发明专利公布CN202511658494.72025-11-13CN121780129A2026-04-03何航党、高洪涛34基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮35基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天36一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫37改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平38硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬39一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏40一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威41一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰42一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威43流量校准的工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立44检测设备相机的散热系统及其运行方法发明专利公布CN202511577875.22025-10-31CN121559800A2026-02-24李君45基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红46一种提升硅片背面去蜡能力的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511563995.72025-10-30CN121487521A2026-02-06朱墨涵、王骞玮47基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平48一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞49用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511529816.82025-10-24CN121575367A2026-02-27黄明洋、李鹏50一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉

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