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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，格芯新加坡私人有限公司申请一项名为“包括光电探测器和多个深沟槽的结构”的专利，公开号CN120435082A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及包括光电探测器和多个深沟槽的结构。包括诸如单光子雪崩二极管之类的光电探测器的结构及相关方法。该结构包括：半导体层；光电探测器，其包括位于半导体层中的阱；以及深沟槽隔离区，其包括延伸穿过半导体层的第一导体层。深沟槽隔离区围绕光电探测器。该结构还包括：接合衬垫；以及电连接，其包括从接合衬垫延伸穿过半导体层的第二导体层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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