北京
金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于降低堆叠DRAM物理层功耗的电路、芯片、存储装置”的专利，公开号CN120319285A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于降低堆叠DRAM物理层功耗的电路、芯片和存储装置，其电路包括多输入逻辑门、时钟树单元、延迟模块和DRAM物理层锁存器，所述多输入逻辑门，分别与时钟树单元和延迟模块连接，用于接收控制器的使能信号，并通过使能信号或延迟模块使能时钟树单元；所述时钟树单元，用于基于使能信号的控制，向延迟模块和DRAM物理层锁存器同步转发控制器的时钟信号；所述延迟模块，与时钟树单元和多输入逻辑门形成逻辑回路，用于延迟所述使能信号，以使DRAM物理层锁存器在bank操作期间翻转。本发明通过门电路和时钟信号控制，实现了物理层的时钟使能控制，极大降低功耗，且无需控制器提供更多的时钟控制信号，保持控制器不变。
天眼查资料显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司，成立于2006年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本12312.8103万人民币。通过天眼查大数据分析，西安紫光国芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息784条，此外企业还拥有行政许可23个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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