江苏
集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。
据悉，芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品单片最高良率超过97%，23mm2芯片尺寸下导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm2，比肩国际领先厂商主流产品性能指标，温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效满足产业应用要求，2025年1月已经零失效通过HTGB、HTRB、HV-H3TRB等关键可靠性摸底测试的1000小时考核。除第一代产品外，芯粤能也在积极研发布局第二代、第三代沟槽MOSFET，进一步巩固其在国内的技术领先地位，实现对国际领先厂商的赶超。
碳化硅MOSFET在以新能源汽车主驱芯片、充电桩、光伏、储能等为代表的产业应用正在以惊人的速度扩张，碳化硅MOSFET的技术迭代也在提速进行。业界公认碳化硅沟槽MOSFET是碳化硅平面MOSFET触及Pitch极限后最佳的技术方案之一，此前英飞凌、罗姆已开发并量产碳化硅沟槽MOSFET，安森美也已于近期宣布在其下一代碳化硅MOSFET上采用沟槽结构。芯粤能技术负责人表示：“第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台是芯粤能技术创新路上的一个重要里程碑，不仅展示出公司雄厚的研发实力，也进一步巩固了公司在行业中的领导地位，大幅提升公司的技术能力和市场竞争力。未来，我们将继续秉承创新驱动的发展战略，推动更多具有革命性意义的技术进步，助力行业发展与转型。”
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