【简讯】NVIDIA RTX 20全系停产；iQOO宣布量产120W快充…

NVIDIA RTX 20全系停产

NVIDIA将在两个月内发布基于安培新架构的RTX 30系列，这已是板上钉钉的事情，唯一悬念就是具体时间和具体性能高低。而在新旧交替之际，不少玩家都在等着现有产品能够大幅降价，好趁机抄底，但看起来这次这招行不通了。

据博板堂从NVIDIA内部拿到的最新消息，NVIDIA RTX 20系列的部分型号已经进步停产退市阶段，接下来一个季度内的主要任务就是消化库存。

具体来说，RTX 2070、RTX 2070 Super、RTX 2080 Super、RTX 2080 Ti都已经全部停产，涉及TU106、TU104、TU102三个核心，现有库存芯片消化完了就彻底没有了，特别是高端的RTX 2080 Super、RTX 2080 Ti，由于台积电产能有限，后续受影响最为严重。

至于RTX 2080，本来就已经被RTX 2080 Super逐步取代，后续就更难见到了。

主流的RTX 2060 Super、RTX 2060还会多在市一段时间，但是由于RTX 2060核心更换的缘故，现在就已经供应紧张和涨价了。

至于RTX 3080 Ti何时发布，有一个说法是9月17日，而且可能和RTX 3080一同发布，但现在还说不准。

iQOO宣布量产120W快充

7月13日，OPPO率先进入超百瓦快充时代，125W超级闪充将于7月15日正式登场。与此同时，iQOO手机也发布了120W超快闪充真机，并宣布即将量产。

120W的超快闪充有多快？据iQOO官方公布的数据，4000mAh电池，5分钟可充入50%，15分钟充入100%。

iQOO的120W超快闪充行业首发了6C电芯，2倍领先行业主流水准的电流通过能力，同时采用了98.5%高充电转化率双电荷泵技术，基于iQOO一代FlashCharge 44W，负荷能力提升2~3倍。

此外，为了实现120W超快闪充，iQOO还首次采用阵列式极耳结构手机电池，进一步降低电芯阻抗，从源头控制电池发热。不仅如此，iQOO还升级了智能温升控制，充电器通过通路1把温度信息传输给手机，手机也会根据充电器的温度控制充电功率，确保系统正常使用。

为了更好的散热，iQOO的新旗舰的VC液冷散热也进行了升级，通过多层石墨、均热板、高铝合金中框以及双层石墨散热片多重散热。

iQOO的120W超宽闪充还支持110V-240V宽电压输入。即便在低电压场景下，也能保证充电器最高120W的输出功率。

从目前曝光的消息来看，100W以上的快充，将成为今年下半年以及明年上半年旗舰机的标配。此前，小米、vivo先后展示了自家的100W、120W快充方案。小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰也曾表示，100W快充技术到了可成熟量产的前期，未来可期。

苹果自研Mac桌面处理器成本曝光

对于苹果来说，推出自研基于ARM版本的桌面处理器一点都不让人意外，首先他们已经具备这样的实力，其次还是希望把更多的主动权抓在自己手里，而不是看Intel的脸色。

据最新消息显示，苹果之前宣布的自研ARM架构Mac处理器将采用台积电5nm制程工艺，预估这款SoC成本将低于100美元，更具成本竞争优势。

首款Apple Silicon采用5nm工艺打造，12核心配置，由8个Firestorm高性能核心和4个Icestorm能效核心组成。从基于之前曝光的A12Z macOS 11的苹果开发机来看，基于Rosetta 2编译运行的它，在Geekbench 5 OpenCL图形性能上就能连克AMD锐龙5 4500U和Intel i7-1065G7等竞品。

苹果自研Arm处理器已有多年时间，并且在iPhone、iPad上获得了巨大成功，对于笔记本来说，由于内部空间、功耗限制要远小于iPhone和iPad，苹果确实有可能凭借自研的Apple Silicon获得成功。

realme奥利给手机首曝

7月13日，博主@数码闲聊站曝光了realme一款新机。PPT显示realme新机名为奥利给手机，这是realme的全新系列，它完美解决5G高刷痛点。从曝光的海报来看，realme奥利给手机采用的是单挖孔全面屏。

值得注意的是，realme副总裁徐起今天发布的微博尾巴显示为“奥利给Android”，表明徐起正在使用这款新机。

至于“5G高刷痛点”，首当其冲的是续航。5G+高刷新率势必会增加功耗，目前的解决方案是一方面提升电池容量，另一方面是缩短充电时间，后者就是熟悉的快充了。

当前realme在X50 Pro、X50 Pro玩家版上量产商用了65W Super Dart，近期有爆料显示realme正在测试120W Ultra Dart，充电速度会进一步压缩，尚不确定奥利给手机是否会首发realme 120W Ultra Dart超级快充。

值得注意的是，型号为RMX2121的realme新机通过工信部入网许可，从证件照来看，它采用的是挖孔屏，背部为矩阵相机，尚不确定它是否为传闻中的奥利给手机。

台积电2nm制程将切入GAA技术

据中国台湾媒体报道，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界以此推断，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示，3nm仍会沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

华硕ZenFone 7/7 Pro首曝

今天，华硕宣布将于7月22日发布ROG游戏手机3。据报道，ROG游戏手机3之后，华硕ZenFone 7系列就会登场。

报道指出，华硕ZenFone 7系列包含ZenFone 7和ZenFone 7 Pro两款，至少有黑白两色。它们将延续ZenFone 6的翻转镜头设计，摄像头数量至少是三枚（ZenFone 6为双摄），价格比ROG游戏手机3便宜。

据悉，翻转镜头设计是ZenFone 6的最大看点之一，后置摄像头通过电动模块旋转180°升起即可变身前置摄像头。

从爆料的信息来看，ZenFone 7系列也采用了这一方案。除此之外，ZenFone 7的影像系统进一步升级，自拍成像预计会有大幅提升。

核心配置上，ZenFone 7系列搭载高通骁龙865旗舰平台，最高配备16GB内存，运行Android 10，最快可能会在8月份登场。