兴福电子、三峡公检中心取得磷烷精馏装置相关专利，差压热耦合精馏除杂制超纯磷烷并降能耗

来源：新浪证券-红岸工作室

5月12日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司、三峡公共检验检测中心申请一项名为“一种差压热耦合精馏生产超纯磷烷的装置”的专利，授权公告号CN224207421U，授权公告日为2026年5月8日。申请号为CN202520873933.5，申请公布日期为2026年5月8日，申请日期为2025年5月6日，发明人叶瑞、周汛、贺兆波、龚浩擂、杨着，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师蒋悦，分类号B01D3/14、B01D5/00、B01D3/32、C01B25/06。

专利摘要显示，本实用新型提出一种差压热耦合精馏生产超纯磷烷的装置，第一精馏塔顶部设有第一冷凝回流器，底部设有第一再沸器；第二精馏塔顶部设有第二冷凝回流器，底部设有第二再沸器；第一精馏塔顶部通过输送管线依次与第二再沸器、第一冷凝回流器、第二精馏塔相连；第三精馏塔顶部设有第三冷凝回流器，底部设有第三再沸器；第二精馏塔底部通过输送管线与第三精馏塔相连。第三精馏塔顶部设有隔膜压缩机，将产品压力提升可保证常温充装，同时隔膜压缩机出口与第一再沸器B连接，以充分利用第三精馏塔塔顶气相的热量，该系统和装置可有效去除工业磷化氢中的H2O、O2、H2、C2H6、CH4、CO、SiH4、C2H4、AsH3等杂质得到电子级磷化氢，同时降低运行过程中的能耗，降低年运行成本。

兴福电子成立于2008年11月14日，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于湖北省宜昌市。公司是国内湿电子化学品领域的佼佼者，核心业务聚焦湿电子化学品，具备全产业链优势，投资价值凸显。

兴福电子主要从事湿电子化学品的研发、生产和销售，产品涵盖电子级磷酸、电子级硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液、清洗剂等功能湿电子化学品。公司所属申万行业为电子 - 电子化学品Ⅱ - 电子化学品Ⅲ，概念板块包括次新股、国家大基金持股、大基金概念。

2025年，兴福电子实现营业收入14.75亿元，在行业35家公司中排名第19，行业第一名西陇科学营收73.31亿元，第二名国瓷材料45.83亿元，行业平均数为19.23亿元，中位数为15.04亿元。主营业务中，通用湿电子化学品营收10.93亿元，占比74.13%。净利润方面，2025年为2.06亿元，行业排名12/35，第一名鼎龙股份7.96亿元，第二名安集科技7.84亿元，行业平均数1.8亿元，中位数1.23亿元。

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳2一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪3一种半导体先进封装厚型负胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930972.52025-12-19CN121879070A2026-04-17李少平、张演哲、欧阳克银、尉鹏4一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511931936.02025-12-19CN121874763A2026-04-17秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕5一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931440.32025-12-19CN121869470A2026-04-17李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣6一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930968.92025-12-19CN121879069A2026-04-17张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏7一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931925.22025-12-19CN121874762A2026-04-17李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超8一种基于有机体系的钼蚀刻液及其蚀刻方法发明专利公布CN202511910702.82025-12-17CN121951538A2026-05-01王震、冯凯、贺兆波、钟博文9一种萘酰亚胺类高纯电子级光致产酸剂的提纯方法发明专利公布CN202511911777.82025-12-17CN121949206A2026-05-01焦家龙、周钢翔、吴翔、李文飞10一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文11一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴12一种可兼容多厚度铝/钼叠层蚀刻锥角的蚀刻液发明专利公布CN202511888848.72025-12-15CN121914729A2026-04-24叶瑞、雷康乐、张演哲、钟昌东、李文飞13一种二氧化硅和非晶氧化铟锡选择性蚀刻液发明专利公布CN202511878487.82025-12-12CN121914730A2026-04-24赵哲鹏、冯凯、谭小龙、严凡、叶瑞14一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波15一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波16一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞17一种电子级二乙氧基甲基硅烷中微量水分的检测前处理方法发明专利公布CN202511859490.52025-12-10CN121933323A2026-04-28万富强、杨着、贺兆波、李锐峰、侯建鑫18一种基于Visio的湿电子化学品质量控制系统构建方法发明专利公布CN202511849573.62025-12-09CN121961307A2026-05-01叶瑞、陈柳、欧阳克银、刘兴荣19一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍20一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超21先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超22一种有机体系中酸和酸铵含量的近红外检测方法发明专利公布CN202511829422.42025-12-05CN121954908A2026-05-01李少平、汪凡杰、王亮、谢建23一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东24一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航25一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银26一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍27一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利实质审查的生效、公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔28一种低电阻硅蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波29一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽30一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊31一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕32一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞33一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792510.12025-12-01CN121869237A2026-04-17张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞34一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东35长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽36一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪37一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋38一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰39一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明40一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞41一种强络合铜废水的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511732820.42025-11-24CN121470717A2026-02-06张宗萍、钟昌东、李文飞、欧阳克银42一种羟基磷灰石-氧化铈复合材料的制备方法及化学机械抛光液发明专利公布CN202511732814.92025-11-24CN121651303A2026-03-13邹哲敏、贺兆波、罗月、刘文戈43一种非离子型萘酰亚胺光酸衍生物及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511732818.72025-11-24CN121698806A2026-03-20粟鹏、周钢翔、吴翔、崔会东44一种电子级复合包装桶及制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511722214.42025-11-21CN121404647A2026-01-27王洪杨、邹磊、杨着、周小龙45一种磺酸肟酯类光致产酸剂制备方法及用途发明专利公布CN202511721181.12025-11-21CN121673260A2026-03-17胡聪、周钢翔、吴翔、叶瑞46一种用于TGV玻璃通孔蚀刻的BOE溶液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511712184.92025-11-20CN121494345A2026-02-10董攀飞、张庭、贺兆波、李金航47一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511712181.52025-11-20CN121780168A2026-04-03班昌胜、冯凯、李飞、李素云48一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511711837.12025-11-20CN121780170A2026-04-03李飞、冯凯、班昌胜、王书萍49一种膜分离耦合离子交换树脂的电子级磷酸制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511702497.62025-11-19CN121493891A2026-02-10胡杜娟、姜飞、贺兆波、陶瑞50高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511703236.62025-11-19CN121780169A2026-04-03李素云、冯凯、李飞、严凡

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