北京
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国家知识产权局信息显示，威弗洛得有限公司申请一项名为“用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法”的专利，公开号CN122002871A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，根据本发明的实施方式提供了一种用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法，该生长衬底晶片包括：Si(111)生长衬底；形成在所述Si(111)生长衬底上的第一AlN成核层；以及在所述第一AlN成核层上不连续地间隔开布置的多个SiOx突起(突起)，其中所述第一AlN成核层的表面在所述多个SiOx突起之间的区域中暴露。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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