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国家知识产权局信息显示，豪威科技股份有限公司申请一项名为“具有高动态范围的横向溢出集成电容器及发光二极管闪烁减轻的分裂式像素的图像传感器”的专利，公开号CN122002148A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本文中公开一种具有用于高动态范围HDR的横向溢出集成电容器LOFIC及用于发光二极管LED闪烁减轻的分裂式像素的图像传感器。像素阵列由多个像素单元构成，每一像素单元包括至少具有大光敏元件LPD及小光敏元件SPD的像素光电二极管区域，其中所述LPD包括横向溢出集成电容器LOFIC。一种产生HDR图像的方法包含：将像素单元的大光敏元件LPD曝光第一持续时间；将所述像素单元的小光敏元件SPD曝光第二持续时间；及将所得读出组合成组合式像素读出CPR。然后，将此CPR与所产生LED闪烁映射LFM位以及来自所述SPD的所得读出结合使用，以产生减轻所得HDR图像中的LED闪烁的最终经校正像素读出。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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