北京
来源：市场资讯
（来源：电子发烧友网Elecfans）
电子发烧友网综合报道 近日，在国际显示领域权威学术论坛 SID 上，维信诺技术专家陈发祥受邀发表主题报告，正式宣布公司率先推出高迁移率 ALD（原子层沉积）全氧化物技术量产解决方案。这一突破性成果，不仅标志着维信诺在 OLED 核心技术领域实现全新跨越，更打破了现有显示背板技术的发展瓶颈，为全球 OLED 产业高质量升级开辟全新路径，充分彰显了中国显示企业在核心技术自主创新领域的硬实力。
要读懂维信诺此次技术突破的行业价值，首先需厘清当前 OLED 背板技术两大主流路线的固有痛点。
长期以来，LTPS（低温多晶硅）凭借较高的电子迁移率，始终占据高性能 OLED 背板主流地位。但其制程高度依赖激光退火（ELA）工艺，不仅工艺复杂、设备造价高昂，大幅推高制造成本，同时在向大世代产线扩产时，还面临良率偏低、面板均一性不足等突出难题。
反观传统氧化物（Oxide）方案，虽具备大面积沉积天然优势、成膜均匀性优异，但电子迁移率始终处于偏低水平。受此限制，其应用场景长期局限于中尺寸或低刷新率产品领域，难以切入高端小尺寸显示市场。
行业亟需一种全新工艺路线：既能承袭氧化物技术适配大尺寸、低成本的天然优势，又能拥有媲美甚至超越 LTPS 的高性能表现。
维信诺给出的解决方案，是从底层革新材料成膜工艺，引入 ALD技术。若将传统 PVD（物理气相沉积）比作泼墨式铺涂，一次性把材料覆盖在基板表面；ALD 则是精度极高的原子级逐层生长技术，通过连续气相化学反应，在原子层级实现精准沉积控制。这种精细化制程，实现了膜层厚度与组分的极致均匀性。
陈发祥在报告中详细阐释了维信诺高迁移率 ALD 全氧化物技术的核心突破。不同于PVD一次性成膜的方式，ALD 采用逐层生长的精密制备模式，依托饱和表面反应机制，可实现亚纳米级膜厚管控，兼具优异的膜层均匀性与台阶覆盖率，从材料底层为全氧化物 TFT（薄膜晶体管）性能升级筑牢基础。此次维信诺发布的量产方案，实现全氧化物 TFT单栅迁移率突破 50cm²/V・s、双栅迁移率突破 80cm²/V・s，达到全球领先水平，性能大幅超越传统氧化物技术，可对标主流 LTPS 工艺；同时无需复杂激光退火流程，从源头简化制造工序、提升生产效率，真正实现高性能与低成本双重突破。
技术落地性与量产可行性，是本次方案发布的核心亮点。据陈发祥介绍，维信诺已完成该技术多轮工艺验证，并成功点亮 6.39 英寸全氧化物面板。实测数据显示，产品在成膜精度、工作稳定性、批次一致性等关键工艺指标上均已达到量产标准：膜厚片间波动小于 2%，膜厚面内均一性小于 4%，可保障批量生产的稳定性与可复制性，满足面板制造对产品一致性的严苛要求。目前该技术已在 4.5 代产线完成工艺验证，具备向 8.6 代等高世代产线拓展的能力，为后续全尺寸显示产品落地提供坚实工艺支撑。
从行业格局来看，维信诺高迁移率 ALD 全氧化物量产方案的推出，将深刻重塑全球 OLED 产业技术竞争格局。当前显示产业增长重心正从手机等小尺寸产品，向笔记本、平板、车载显示等中大尺寸领域转移。ALD 全氧化物技术具备全尺寸产线适配能力，此次小尺寸面板成功点亮，意味着该技术已具备切入高端小尺寸市场的实力，未来可广泛适配智能终端、车载座舱、VR/AR 等多应用场景，为显示产业增量市场拓展提供核心技术支撑。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
