国家知识产权局信息显示,德州仪器公司申请一项名为“用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理”的专利,公开号CN121968695A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本申请涉及用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理。在示例中,一种装置包含半导体衬底(102)、底座电介质堆叠(402g,404e)、双极结型晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述衬底(102)包含BJT区(104)、FET区(110,112),以及位于所述BJT和FET区(104,110,112)之间的过渡区(106)。所述BJT和FET在所述衬底(102)上分别位于所述BJT和FET区(104,110,112)中。BJT部分(1402)在穿过所述底座电介质堆叠(402g,404e)的开口(1202a)中。所述开口(1202a)至少部分地由逆行侧壁(1302)限定。所述复合结构在所述衬底(102)上位于所述过渡区(106)中,并且包含残余电介质堆叠(402f,404f)、在所述残余电介质堆叠(402f,404f)之上的电介质层(406d)及在所述电介质层(406d)之上的第一材料(902d)。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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