北京
国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管、制备方法及显示装置”的专利，公开号CN121924906A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请属于半导体制造技术领域，提供一种发光二极管、制备方法及显示装置，发光二极管包括基板、半导体叠层和第一电极，半导体叠层位于基板的正面一侧，包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第二半导体层远离有源层的一侧具有凹凸不平的图形化表面，第一电极形成于第二半导体层的图形化表面上。第一电极与第二半导体层接触的部分可以采用低成本电极材料制成，能够降低生产成本，第一电极与第二半导体层之间凹凸不平的图形化表面，能够提高器件的出光效率，增强两者之间的粘附效果，提升电极打线推力值，有助于提高产品封装良率。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息658条，此外企业还拥有行政许可407个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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