北京
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国家知识产权局信息显示，奥斯帝亚技术有限公司申请一项名为“纳米多孔膜”的专利，公开号CN121487791A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，一种纳米多孔膜制造方法使用在基底上打印可去除材料的牺牲性纳米柱阵列来构成。在连续沉积甚至不同性质的覆盖层之后，溶解牺牲性纳米结构，最终形成设计有纳米级尺寸和几何形状的纳米孔、通道和空腔的纳米多孔膜，从而在不同的技术领域（例如，生物人工器官、纳米电子学、生物电子学、分子传感器和生物医学应用）中实现前所未有的独特功能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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