北京
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国家知识产权局信息显示，哈尔滨工业大学;陕西诸彻涧电子科技有限公司申请一项名为“一种具有高导电性及暴露闭孔的碳基体及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121269683A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种具有高导电性及暴露闭孔的碳基体及其制备方法和应用，属于电池负极材料技术领域，方案如下：所述碳基体的内部和表面具有若干贯通的孔隙通道，且围绕孔隙通道的碳层壁的石墨化程度高于其他部分的石墨化程度；部分孔隙通道贯穿碳基体内的部分闭孔将闭孔结构转变为开孔结构。本发明将所制备的碳基体沉积硅、磷、硫和碘得到的电极，表现出优异的电化学性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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