北京
金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种栅极侧墙形成方法及半导体产品”的专利，公开号CN 119764166 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种栅极侧墙形成方法及半导体产品，栅极侧墙形成方法包括：提供一半导体结构，包括衬底、伪栅极结构和侧墙结构层，伪栅极结构形成于衬底上表面，侧墙结构层覆盖伪栅极结构的上表面、侧壁以及衬底上表面；形成覆盖侧墙结构层的阻刻介质层；阻刻介质层上表面高于覆盖在伪栅极结构层上表面的侧墙结构层；刻蚀阻刻介质层以露出覆盖于伪栅极结构上表面及部分侧壁的侧墙结构层对露出的侧墙结构层进行刻蚀减薄；去除残留的阻刻介质层；对侧墙结构层刻蚀以形成栅极侧墙，栅极侧墙覆盖伪栅极结构的侧面下部以及衬底的上表面。本申请的技术方案可在确保伪栅极侧面的侧墙介质层及衬底上表面侧墙介质层厚度的前提下，降低栅极侧墙的高度。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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