北京
金融界2025年3月21日消息，国家知识产权局信息显示，南昌三盛半导体有限公司取得一项名为“一种用于离子束刻蚀晶圆的冷却装置”的专利，授权公告号CN 222637219 U，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种用于离子束刻蚀晶圆的冷却装置，包括载台、在载台上放置用于固定晶圆的治具、以及在所述载台上设置的用于固定所述治具的固定机构。本实用新型通过载台上的固定机构对治具进行固定，接着可通过外部的氦气供应系统，往载台内输送氦气，氦气最终会通过小孔进入到下盘的内部，由此实现对下盘的降温，下盘的温度将传导到晶圆背面，由此实现在对晶圆刻蚀的时候，晶圆的表面温度分布均匀，另外，通过治具对晶圆进行固定，可便于对晶圆的固定快速便捷，提供晶圆刻蚀的工作效率，此外，通过缓冲垫的设置在上盘与下盘连接的时候，缓冲垫可起到缓冲，防止晶圆损坏。
天眼查资料显示，南昌三盛半导体有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本100万人民币，实缴资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，南昌三盛半导体有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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