36氪首发 | 创维独家投资数千万，这家企业将碳化硅切割损耗降至40微米内

作者丨欧雪

编辑丨袁斯来

硬氪获悉，高端工业激光装备制造商——中微精仪科技（深圳）有限公司（下称“中微精仪”）近期已完成数千万元天使+轮融资，由创维投资独家投资。资金将主要用于市场拓展、产能提升及新产品开发。

中微精仪成立于2024年11月，专注于碳化硅晶锭激光剥离、金刚石激光剥离、水导激光精密加工等高端工业激光装备的研发与制造。公司创始人陈景煜为澳大利亚新南威尔士大学研究员，长期从事特种芯片集成开发；首席科学家孙洪波则为中国科学院院士、清华大学教授，是非线性激光超精密制造领域的先驱。

与市面上多数激光设备公司不同，中微精仪定位为激光精密加工技术平台，覆盖从机理研究、工艺开发到工程化落地的全链条。其设备已在碳化硅衬底切割、金刚石加工等领域进入头部客户量产验证阶段。

公司当前的核心业务聚焦两大方向：

一是碳化硅衬底激光分片设备。中微精仪自研的脉冲可编程与裂纹定向诱导生长技术，已能将分片损耗稳定控制在40微米以内，远低于行业常见的80-120微米水平。

当前，碳化硅行业正经历从6英寸向8英寸产线升级的关键窗口期。据陈景煜判断，近两年下游需求端正在快速扩张，数据中心电源对碳化硅器件的需求显著增加，消费电子领域如空调、冰箱等产品也开始采用碳化硅功率器件替代传统硅基器件。

然而，行业仍面临核心瓶颈。随着8英寸碳化硅成为行业降本主线，衬底切割环节的损耗率成为关键卡点。

据公司实测，其6英寸碳化硅分片速度为15-20分钟，8英寸为25-30分钟。中微精仪相当于每切割8片即可多产出1片，为客户带来显著的降本增效。

同时中微精仪的激光技术可以实现低损耗控制，在SiC晶圆背板减薄领域可以实现突破性应用，可以替代SiC晶圆背板减薄研磨抛光工艺，帮助SiC晶圆厂商实现降本增利，由以前研磨成粉末，变化为激光剥离，实现SiC剥离片二次利用。

中微精仪团队手持由自主研发SiC激光剥离设备加工的6英寸、8英寸及12英寸SiC晶圆（图源/企业）

二是金刚石激光加工设备。针对单晶/多晶金刚石的剥离、切割与抛光，中微精仪实现了磨砂面白色加工效果，避免了友商常见的材料表面石墨化发黑问题，从而省去了后续研磨工序，可直接用于再生长。

此外，陈景煜透露，中微精仪将于今年七至八月份启动量子芯片加工器件的客户交付。这一业务延伸验证了中微精仪作为激光精密加工技术平台的可扩展性——从超硬材料切割延伸至量子计算核心元器件的加工。

公司目前已收到多家头部客户的进场邀约，预计6月起陆续进入更多产线进行Demo验证。

作为本轮独家投资方，创维投资已在碳化硅产业链上下游布局多家企业。中微精仪创始人陈景煜表示，创维投资所投企业覆盖了衬底、外延、器件等关键环节，能够有效帮助公司将设备与下游客户直接对接。

以下是硬氪与陈景煜的访谈摘要：

硬氪：碳化硅行业目前竞争激烈，公司如何在这个节点找到机会？

陈景煜：6寸碳化硅现在卖一片亏一片，整个产业链环节能降本的地方全降了，唯独切割环节的损耗一直控不下来。从线切割的250微米降到激光切割的80微米已经是一大步，但我们把损耗降到40微米以内，仍然可以进一步控制在30微米以内，预示客户每切8片就最少能多出1片，这是他们现在最需要的竞争力。随着8寸线马上大规模上量，切割损耗会成为决定谁胜出的关键。

硬氪：公司如何看待8英寸碳化硅时代的市场窗口？

陈景煜：今年下半年预计是8寸线建设的元年。头部客户的环评已经拿到了，基建陆续启动，设备选型正在发生。8寸片的核心目的就是降成本，如果切割环节损耗控不下来，8寸的优势就发挥不出来。所以这个窗口对我们来说是决定性的。

我们能稳定把损耗控制在40微米以内，而且设备进场当天就能跑量产，这些都非常重要。现在不是我们找客户，是客户在催我们进场。

硬氪：从碳化硅到量子芯片，公司的技术边界在哪里？

陈景煜：我们不是一个做碳化硅切割设备的公司，而是一个激光精密加工的技术平台。团队核心能力是把不同激光与不同材料的相互作用机理研究透——切碳化硅、切金刚石、用量子芯片加工，底层都是同一套能力。公司实验室目前已经完成了12寸硅片的超薄切片验证，损耗可控制在1微米以内。平台搭好了，应用场景只是不同的输出。

投资方观点：

创维投资负责人表示：目前全球SiC衬底处于高速扩产和6寸向8寸迈进的产业周期，传统的切割方式难以满足产业升级的要求，2026年8寸线产业化正在加速发展。长期以来，上游环节的工业激光切割设备一直被国外企业垄断，高度存在被“卡脖子”风险。中微精仪现已推出相关产品，并且获得了重要客户的订单，这是源于团队掌握超快冷激光切割设备最核心的光路调控技术，从机理探索、工艺开发、光学优化、系统设计四个方面具备完全自主可控的能力，具有未来良好的发展前景。