北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置”的专利，公开号CN122028669A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种硅片缺陷处理方法，用于处理硅片的延迟性水渍缺陷。该硅片缺陷处理方法包括：对具有二氧化硅抛光表面的硅片执行湿法清洗；在湿法清洗之后，将所述二氧化硅抛光表面与表面处理液接触，以在二氧化硅抛光表面形成自组装单分子层。其中，表面处理液包括超纯水以及溶解于超纯水的全氟烷基膦酸类化合物。并在二氧化硅抛光表面形成自组装单分子层后对硅片进行超纯水漂洗和干燥处理。该方法能够通过界面钝化占据Si-OH的吸附位点，抑制在高温高湿存放及再次清洗干燥后延迟性水渍缺陷的产生，适用于集成电路制造用硅片的清洗。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目13次，专利信息1569条，此外企业还拥有行政许可24个。
西安奕斯伟硅片技术有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本660000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟硅片技术有限公司参与招投标项目379次，专利信息1063条，此外企业还拥有行政许可54个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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