“三星+SK海力士”单季赚4000多亿，长江、长鑫存储拿什么逆袭？

今年一季度，韩国的三星电子、SK海力士交出了一份爆炸性的业绩，两家公司合计净利润超过了4000多亿人民币。

其中三星电子一季度营业利润为57.2 万亿韩元，折合人民币 2643 亿元，同比暴增756%，环比增长185%。

SK海力士一季度营业利润37.61万亿韩元，折合人民币1737亿元，创下了公司上市以来最高利润纪录。

三星电子还希望创造一个史无前例的记录，那就是全年利润超过1.1万亿元。1.1万亿什么概念？美国的谷歌、微软的净利润也就6000-7000亿元，苹果、英伟达也就8000多亿，三星直接碾压。

按照目前存储芯片的价格，SK海力士一年估计也能赚7000亿，二者加起来一年赚1.8万亿元。

1.8万亿元，都超过了我们的“四大行（工、农、建、中）+三桶油（中国石油、中国石化、中海油）”了。

再看国产存储“双子星”，长江存储、长鑫存储，分别代表内地闪存、内存的最大产能和最高技术，虽然今年一季度业绩大增，但是与韩国“二巨头”相比，差距仍然很大。

先看业绩方面：

长江存储今年一季度营收突破200亿元，实现了翻倍增长，机构估算利润在120亿左右，但远没有三星这么夸张，更没到 “单季千亿” 的量级。

长鑫存储今年一季度也是业绩爆发，毛利率提升至了45%，净利润增长了800%，有机构估算净利润为180亿元，也是量级的差距。

海外机构数据显示，今年一季度全球存储芯片7巨头（三星、SK海力士、美光、铠侠、长江存储、西部数据、长鑫存储）大赚6500亿人民币，但是这数千亿的利润，67%被韩国的三星、SK海力士拿走，国产存储芯片厂商只是喝了口汤。

再看产能方面：

国产“双子星”和韩国“二巨头”之所以业绩差距大，首先就是产能、市场占有率方面的直接差距。

DRAM内存方面：三星产能约72-76万片/月，市场占有率36%-37%；SK海力士55-60万片/月，市场占有率32%-33%；长鑫存储20万片/月，市场占有率8%。

NAND闪存方面：三星产能约58万片/月，市场占有率28%-30%；SK海力士35-40万片/月片/月，市场占有率22%；长江存储17万片/月，市场占有率13-15%。

无论是内存还是闪存，国产厂商与三星、SK海力士差距在1-3倍之间，市场占有率更是如此。

放在全球来看，DRAM内存方面、三星第一、SK海力士第二、长鑫存储第四；NAND闪存方面三星第一，SK海力士第二，长江存储第四。

再看技术方面：

先说结果，消费级差距不大，甚至有逆袭的希望；企业级、AI领域差距巨大，短时间看不到追平的希望。

NAND闪存方面：

长江存储已经做到了294层的量产，直接超越了三星的286层，SK海力士的270层+。

长江存储还自研了双层键合架构，I/O速度达到了3600MT/s，比三星同代快约50%。三星已经开始和长江存储交叉授权此类芯片的技术专利了。

良品率方面，长江存储达到了90%+，三星、SK海力士这类老牌存储巨头达到了95%以上，差距有，但是不大。

DRAM内存方面：

长鑫存储因为受限于高端半导体设备，目前芯片工艺只能做到17nm，没有EUV芯片，成本也比较高。

而三星、SK海力士已经量产了10nm级的EUV内存芯片，性能更强、功耗更低、成本也更低。

工艺制程方面的差距达到了3代，如果买不到关键设备，短期内几乎无法追平。

在消费级的DDR5方面，长鑫DDR5产品最高速率达8000 Mbps，单颗颗粒容量达到了24 Gb（即8GB）对比同级别的三星DDR5（6400–7200 Mbps，单颗容量为16Gb），纸面参数还反超了10%。

可以说在消费级DRAM内存方面，尽管存在制程方面的代差，但总体达到、接近世界先进水平，完全可以替代。

HBM方面：

HBM即高带宽内存，是AI时代的新产物，主要被SK海力士、三星、美光这些大厂把控。

SK海力士、三星、美光已经量产了HBM3E，属于第五代HBM产品，堆叠了12层，单颗容量可达 36GB，支持英伟达H200。

现在这些巨头计划在2026年推出HBM4，可堆叠14-16层，单颗容量可达到48GB，带宽达到5.6-6.4Tb/s。

HBM让三星、SK海力士赚的盆满钵满，HBM3E单颗370美元，而下一代HBM4单颗高达560亿美元，这些厂商正在形成“高利润、高难度、新技术”的良性循环。

那么国内HBM什么水平？

国产HBM代表是长鑫存储，目前已经实现了12层HBM3样品的研发，2026年二季度开始小规模量产。

工艺制程依然是17层DUV工艺，带宽为819GB/s，但是良品率太低只有70%左右，产能也只有6万片/月，主要客户是国内的华为昇腾、寒武纪这类AI芯片企业。

与三星、SK海力士的主要差距在工艺制程、堆叠层数、良品率方面，总体差距达到了3代。

那么如何能追平这些差距呢，真的只是靠继续研发、实践几年就能实现吗？

表面看，国产HBM与三星、SK海力士差的是工艺制程、堆叠层数、良品率，但这背后实际是半导体设备、半导体材料方面的差距。

三星、SK海力士、美光在全球采购先进的半导体设备，包括荷兰ASML的EUV光刻机、韩国韩美半导体的热压键合机、美国应用材和日本东京电子的深硅刻蚀机、新加坡ASMPT的3D封装设备。

而长鑫存储只能使用国产设备，而国产设备是近几年才开始起步，这其中的辛酸只有自己才知道。

在关键材料方面，如：HBM前驱体、低α球形硅微粉、高纯电镀液等也是由美、日、韩等把控，国内企业（如雅克科技、联瑞新材）仅部分切入供应链。

可见，国产HBM要想追赶，关键要跑通设备和材料，技术和良品率反而是容易突破。

所以，压力给到了全产业链上的企业、高校、研发机构，我们需要集全国力量去搞研发，把资金、精力向着关键设备、材料领域去轰，必然会撕开一个口子，进而实现突围，最终逆袭超越。