北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管器件及其制作方法”的专利，公开号CN122002882A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管器件及其制作方法。晶体管器件包括：沟道层、势垒层、栅极、第一电极、第二电极、第一连接块、第二连接块、介质层；所述势垒层层叠在所述沟道层上，所述介质层层叠在所述势垒层上，所述栅极位于所述介质层上；所述沟道层与所述势垒层的接触面具有二维电子气，所述二维电子气包括相互间隔的有源区和电阻区，所述电阻区为围绕所述有源区的环形结构，并且所述电阻区具有一开口；所述第一电极和所述第二电极穿过所述介质层和所述势垒层与所述有源区接触，所述第一连接块和所述第二连接块穿过所述介质层和所述势垒层与所述电阻区的开口的两侧接触，所述第一连接块与所述栅极电连接。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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