北京
国家知识产权局信息显示，芯旸微（苏州）电子有限公司申请一项名为“一种CMUT制备方法及CMUT”的专利，公开号CN121990521A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明属于微机电系统及超声传感技术领域，公开了一种CMUT制备方法及CMUT。本发明方法通过建立双重自停止的高精度控制体系，利用第一氧化硅层的厚度定义空腔深度，刻蚀时以掺杂层为停止面，消除了刻蚀深度不均的问题；利用掺杂层配合湿法腐蚀选择性，保证了振膜厚度的原子级均匀性。此外，本发明方法通过掺杂自停止技术与双普通单晶硅晶圆键合技术的结合，制造出厚度均匀性、深度一致性的高性能CMUT，显著降低了制备成本。另外，本发明方法结构性解决了绝缘失效问题，其采用双晶圆分别定义结构与功能的思路，将构成绝缘层的第二氧化硅层置于平整的第二晶圆上，彻底消除了传统工艺中因台阶覆盖能力不足导致的空腔拐角绝缘层击穿风险。
天眼查资料显示，芯旸微（苏州）电子有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，芯旸微（苏州）电子有限公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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