华海清科第1000台CMP装备出货，离子注入机交付国内先进存储龙头企业！

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（来源：半导体前沿）

华海清科离子注入机交付国内先进存储龙头企业

近日，华海清科股份有限公司（简称“华海清科”，股票代码：688120）全资子公司芯嵛半导体（上海）有限公司自主研发的12英寸大束流离子注入机iPUMA-LE成功交付国内先进存储领域龙头企业。

离子注入机是集成电路前道工艺中不可或缺的关键核心装备，其技术壁垒高筑，市场长期由少数国际巨头主导。据悉，华海清科自布局离子注入装备以来，自主研发的大束流离子注入机系列装备已陆续批量交付多家国内集成电路制造头部企业，并收获持续订单。

华海清科表示，iPUMA-LE关键性能指标已达到国际先进水平，具备优异的束流传输效率、注入均匀性与角度控制能力，能够满足先进制程、先进存储对离子注入工艺的严苛要求。

围绕离子注入装备，华海清科已形成清晰的产品迭代与矩阵拓展路径。目前，该公司大束流离子注入机系列已实现型号全覆盖；中束流离子注入机系列取得阶段性进展；高能离子注入机系列也在积极布局之中，满足客户在不同工艺节点与器件类型上的多样化注入需求。

华海清科第1000台CMP装备出货

4月8日，国产半导体设备厂商华海清科股份有限公司（以下简称“华海清科”或“公司”）发布公告称，近日，公司第1,000 台CMP装备正式出机并发往国内集成电路龙头企业。

据介绍，华海清科的 CMP 装备在出厂前均已完成相关检测，但机台抵达客户现场后，仍需开展安装调试与工艺验证工作。该过程可能受客户产线适配、技术参数优化等因素影响，存在验证周期延长或验证结果不及预期的风险，公司将全力配合客户推进验收工作。同时，公司新产品机台仍需持续开展市场推广与多客户验证，未来亦存在市场拓展及客户开拓不及预期的风险。

华海清科表示，第1,000台CMP装备的正式出机，充分彰显公司产品与技术实力获得行业高度认可，进一步巩固了公司在国产 CMP 装备领域的龙头地位，持续体现国产高端半导体装备自主可控能力稳步提升。

华海清科终止H股上市计划，改募40亿元加码半导体装备产业

4月22日，华海清科发布晚间公告，披露2026年度向特定对象发行A股股票预案，拟募集资金不超过40亿元，将全部投向上海集成电路装备研发制造基地、晶圆再生扩产及高端半导体装备研发三大项目，通过强化产能与技术布局，加速半导体装备国产化进程。

公告同时宣布，公司决定终止筹划发行境外上市股份（H股）并于香港联合交易所有限公司上市的计划，转而通过A股特定对象发行募集资金。此次融资方向的调整，旨在更高效地对接国内资本市场资源，聚焦核心产业落地，确保募投项目快速推进。

募投项目的实施，将从多维度提升华海清科的综合竞争力。项目建成后，不仅能有效强化高端装备的产业化能力，还将拓宽公司的服务半径，丰富技术创新储备，为中长期经营业绩的持续提升奠定基础，进一步巩固公司在半导体装备领域的市场地位。

其中，上海集成电路装备研发制造基地项目拟使用募资13.42亿元，选址上海浦东建设高端装备产业基地。该项目将重点提升离子注入、化学机械抛光（CMP）、减薄等关键装备的研发与量产能力，依托长三角地区密集的半导体产业集群优势优化区位布局，从而更快响应客户需求，提升产品交付效率。

晶圆再生扩产项目拟投入募资4.45亿元，计划在昆山新增月产20万片晶圆的再生产能。此项目将有效缓解当前晶圆再生业务的产能饱和瓶颈，帮助下游芯片制造企业通过晶圆再生降低生产成本，同时强化华海清科“装备+服务”的协同发展优势，延伸产业服务链条。

高端半导体装备研发项目拟使用募资22.13亿元，是此次募资的核心投向之一。项目将聚焦先进制程前道设备、先进封装工艺设备以及关键零部件和耗材的研发，通过现有产品的迭代升级和前沿技术布局，巩固公司在技术研发领域的领先性，为半导体装备产业的自主可控提供核心技术支撑。

来源:官方媒体/网络新闻

—论坛信息—

名称：2026CMP与先进封装材料论坛

时间：2026年7月29-30日

地点：苏州

主办方：亚化咨询

—会议背景—

在半导体制造中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化、支撑先进制程持续演进的关键工艺。随着制程节点不断向纳米级推进，CMP对抛光液、抛光垫及清洗材料提出了更高的缺陷控制与选择性要求，并直接影响器件良率。

亚化咨询测算，2026年全球CMP材料（包括抛光液、抛光垫和清洗液等）市场规模约42亿美元，其中中国市场约80亿元人民币，占比持续提升。预计到2032年，中国CMP材料市场有望超过160亿元人民币，年均增速在10%左右，增量主要来自化合物半导体（尤其是SiC）和先进封装对CMP工艺和材料需求的快速增长。

与此同时，半导体产业正加速迈入“超越摩尔”阶段。2.5D/3D集成、Chiplet以及无凸点混合键合等先进封装技术，正在将CMP的应用边界从前道晶圆制造拓展至后道封装环节。面对TSV填铜平坦化、多材料界面的高选择性去除，以及原子级表面平整度控制等新挑战，CMP技术及材料体系正迎来新一轮持续创新。