北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN122003960A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，提供了一种存储装置、存储系统以及制造方法。所公开的存储装置包括：垂直晶体管的阵列，所述垂直晶体管的阵列布置在横向平面中，每个垂直晶体管包括：沟道结构，所述沟道结构相对于所述横向平面垂直延伸；以及漏极结构，所述漏极结构包括：与所述沟道结构的第一端接触并具有第一掺杂剂浓度和第一晶格结构的第一半导体层，以及第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层和位线之间，并且具有与所述第一掺杂剂浓度不同的第二掺杂剂浓度以及与所述第一晶格结构不同的第二晶格结构。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1437次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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