北京
国家知识产权局信息显示，靖江嘉昇和真空技术有限公司申请一项名为“一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室”的专利，公开号CN121874749A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体相关技术领域，公开了一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室，包括腔体本体、设置于腔体本体顶部的顶板以及可拆卸安装的腔盖，腔盖与腔体本体之间形成密封界面。腔盖一侧设置第一密封组件，腔体本体一侧设置能够相对第一密封组件发生位移的第二密封组件，第一密封组件与第二密封组件分别设有若干沿密封界面分布的密封部，且所述密封部在密封方向上呈错位设置。腔体本体一侧还设置与第二密封组件传动连接的补偿组件；本发明能够通过将多级错位密封、结构预紧、热变形补偿以及泄漏路径延长等多种密封技术手段进行系统性整合并形成协同作用。
天眼查资料显示，靖江嘉昇和真空技术有限公司，成立于2023年，位于泰州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本634.8955万人民币。通过天眼查大数据分析，靖江嘉昇和真空技术有限公司专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
