12英寸碳化硅元年，全球竞速开启

碳化硅是一种典型的第三代半导体材料，属于宽禁带半导体。凭借耐高压、耐高频、高导热性、高温稳定性、高折射率等特点，在新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域展现出广阔的应用前景。

6英寸碳化硅仍占据全球商用主流、8英寸产品加速产业化推进的当下，12英寸碳化硅的集中突破正宣告第三代半导体产业迈入关键转折点。从国内露笑科技、天岳先进、晶盛机电到美国Wolfspeed，全球头部企业相继实现12英寸碳化硅单晶、衬底的重大突破，一场全球范围内的12英寸碳化硅产业竞速正式开启。

全球企业加速布局技术突破密集落地

• 天岳先进

来源：天岳先进

2024年11月，天岳先进在2024德国慕尼黑半导体展览会上发布了业界首款300mm（12英寸）碳化硅衬底产品。天岳先进表示，300mm碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能；

2025年3月，天岳先进发布了12英寸高纯半绝缘、p型碳化硅衬底；

2025年10月，天岳先进业绩发布会上介绍，公司已经发布了全系列12英寸碳化硅产品矩阵，包括12英寸导电型碳化硅衬底、12英寸半绝缘型碳化硅衬底以及12英寸P型碳化硅衬底，目前已经与下游客户积极对接中，并已取得相关全球头部客户的多个12英寸SiC产品订单。

• 晶盛机电

来源：晶盛机电

2025年5月，晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好；

2025年9月，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发；

2026年1月份，依托自主搭建的12英寸中试线，浙江晶瑞SuperSiC成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键技术突破。

• 晶越半导体

2025年7月，晶越半导体透露，该公司成功研制出高品质12英寸SiC晶锭，这一技术突破标志其正式进入12英寸SiC衬底梯队。面对大尺寸晶体生长过程中热场分布不均、籽晶对位困难、厚度控制精度不足以及晶体缺陷风险增大的挑战，公司系统性优化了热场结构设计、籽晶粘接工艺参数、厚度均匀性控制方法，并在缺陷抑制方面取得显著成效。通过这些核心环节的协同优化，晶越成功实现了12英寸SiC晶体的高质量生长。

• 天成半导体

来源：天成半导体

2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料；

2025年10月，天成半导体发布公告称，公司依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35mm厚；

至此，天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶设备可产出直径达到350mm的单晶材料。

• 科友半导体

来源：科友半导体

2025年9月，科友半导体发布公告称，公司依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭；

10月中旬，科友半导体成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶；

2026年3月，科友半导体12英寸导电型与半绝缘碳化硅晶片加工双双取得重大突破，标志着公司已打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条核心技术，为12英寸碳化硅衬底的规模化量产奠定了坚实工艺基础。

• 合盛硅业

2025年5月，合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司宣布成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）单晶晶体，并已启动切、磨、抛等加工技术的研究。该突破依托自主设计的SiC单晶生长炉及多年技术攻关，通过创新坩埚设计、使用多孔与涂层石墨技术，实现了超大晶体所需的高通量生长‌。

• 南砂晶圆

2025年5月8日，南砂晶圆在重庆举行的行业大会上首次公开展示了12英寸导电型碳化硅衬底实物，成功攻克大尺寸碳化硅衬底制备难题。

• 环球晶圆

2025年11月4日，环球晶圆宣布，公司在核心技术研发上取得重大突破：其方形碳化硅（SiC）晶圆以及具有里程碑意义的12英寸碳化硅（SiC）晶圆的原型开发已成功完成，并已正式进入客户送样与验证阶段。

• 烁科晶体

2024年12月，成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。

• Wolfspeed

来源：Wolfspeed

2026年1月13日，Wolfspeed,Inc.宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆。该公司的300毫米平台将统一用于电力电子的高量碳化硅制造与高纯度半绝缘基板的先进能力，应用于光学和射频系统。这一融合将支持一种跨光学、光子、热能和功率领域的新型晶圆尺度集成。

12英寸碳化硅为何成角逐焦点？

为何12英寸碳化硅能成为全球半导体企业的布局焦点？究其根本，是下游产业需求爆发与产业降本增效诉求的双重驱动，同时也是突破国际技术垄断、掌握产业核心话语权的关键所在。

碳化硅是新能源汽车、5G通信、轨道交通等国家战略新兴产业的关键基础材料。近年来，随着新能源汽车、光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业的快速发展，满足高功率、高电压、高频率等工作条件的碳化硅基器件的需求也突破式增长。同时，人工智能、AR眼镜等新兴领域的崛起，进一步凸显了碳化硅高频、高功率、耐高温的性能优势，为碳化硅材料开辟了新的应用赛道，市场需求持续扩容。

碳化硅衬底作为第三代半导体的基石，其尺寸与品质直接决定了产业链的性能上限与成本空间。尺寸越大，单片晶圆可产出的芯片数量越多，降本增效效果越显著。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

在新能源汽车领域，12英寸碳化硅技术能进一步提升碳化硅器件在终端市场的竞争力，契合下游“降本增效”的核心诉求。同时，AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求也日益凸显，12英寸碳化硅衬底面积约为8英寸衬底的2.25倍，这意味着单片12英寸衬底所能产出的AR眼镜用芯片数量远高于8英寸片，在大规模生产中，能显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本，是降低AR眼镜核心元器件成本的关键路径。

长期以来，高品质、大尺寸碳化硅衬底的制备技术被少数国际巨头垄断，技术壁垒极高。从晶体生长的温度精准控制，到切片工艺的升级迭代，再到晶体缺陷的有效控制，每一个环节都是制约国内产业发展的“卡脖子”难题。12英寸碳化硅技术的研发与突破，不仅是企业核心竞争力的体现，更是国内第三代半导体产业打破国际技术垄断、掌握产业发展主动权的重要举措。

从6英寸到8英寸再到12英寸，碳化硅大尺寸化是产业发展的必然趋势。12英寸碳化硅的研发，可大幅提升芯片产出量、显著降低单位成本，将为新能源、通信、AR等战略产业注入更强发展动力。

来源：中国战略新兴产业、界面新闻、大众日报、中国经营报、证券时报、21世纪经济报道、贤集网、各公司官网、公告等