北京
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国家知识产权局信息显示，合肥国家实验室;太原国科半导体光电研究院有限公司;深圳国际量子研究院申请一项名为“一种高效率调节锑化物激光器功能层应变的方法”的专利，公开号CN121452974A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种高效率调节锑化物激光器功能层应变的方法，属于激光器技术领域；解决了现有功能层应变调节方法工序多、耗时较长、效率低、不经济的问题；该方法包括以下步骤：步骤1、在同一测试片上依次生长3种及以上不同As压、不同厚度的AlGa(In)AsSb材料，得到应变测试结构；步骤2、将步骤1生长的不同As压、不同厚度的AlGa(In)AsSb材料的应变测试结构取出，并测量其高分辨XRD数据，然后通过对XRD数据进行分析得到不同As压下AlGa(In)AsSb材料的应变数值；步骤3、通过插值得到AlGa(In)AsSb材料零应变下的As压；本申请应用于锑化物激光器功能层应变的调节。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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