北京
国家知识产权局信息显示，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121386226A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体层；位于所述半导体层上且间隔设置的第一光波导和第二光波导；加热结构，位于所述第一光波导之上且覆盖所述第一光波导的至少部分区域；第一沟槽，位于所述第一光波导与所述第二光波导之间；所述第一沟槽沿垂直所述半导体层的方向延伸，所述第一沟槽显露所述半导体层；导热结构，位于所述第一光波导与所述第二光波导之间；所述导热结构沿垂直所述半导体层的方向延伸，所述导热结构与所述半导体层接触。
天眼查资料显示，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本16000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司参与招投标项目121次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息351条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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