北京
国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于氮化镓HEMT功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121218636A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种用于氮化镓HEMT功率器件，包括：衬底、形成在所述衬底上的外延结构、形成在所述外延结构上的源极、漏极、栅极；所述用于氮化镓HEMT功率器件还包括场板、金属电极层以及形成于所述场板和金属电极层之间的TEOS层，所述用于氮化镓HEMT功率器件还包括第一电荷平衡介质层，所述第一电荷平衡介质层形成于所述金属电极层和所述TEOS层之间。本申请实施例中的制备成本低，工艺兼容性强，可以应用于增强型氮化镓功率器件和耗尽型氮化镓功率器件。同时，平衡因Maxwell-Wagner效应在不同介电系数和电导率介质界面产生的电荷,降低对器件动态及可靠性的影响。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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