高通第五代骁龙8发布会官宣
今天,高通公司宣布,全新骁龙8系旗舰移动平台新成员——第五代骁龙8将于11月26日发布。
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据了解,一加Ace 6T将全球首发第五代骁龙8,芯片采用台积电3nm工艺制程,配备OryonCPU,由2×3.8GHz超大核+6×3.32GHz大核组成,集成Adreno 840 GPU。
根据首个跑分显示,第五代骁龙8单核得分3055、多核得分10460,单核基本追上骁龙8至尊版(3161),多核超越骁龙8至尊版(9773)。
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一加中国区总裁李杰表示,必须要首发当代旗舰处理器,必须要轻松驾驭165超高帧游戏,必须要续航电量远超想象,还必须是一部全面旗舰配置的性能手机,这是一加Ace 6T的目标。据悉,一加Ace 6T将配备超8000mAh大电池,支持100W快充,实现续航与快速回血兼顾。
华为MatePad Edge官宣
11月19日,华为常务董事余承东发布视频,首次公布华为MatePad Edge,这是巨幕平板,更是性能电脑,超旗舰新品鸿蒙二合一平板电脑。据了解,华为MatePad Edge将于11月25日正式发布。
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据数码博主的爆料,华为MatePad Edge采用14.2英寸OLED屏幕,提供柔光屏版本,将搭载麒麟9系芯片。该机可选16GB+512GB和24GB+1TB双版本,最大的区别在于相比普通MatePad,华为MatePad Edge新增了主动散热风扇。
体验方面,在麒麟芯片和鸿蒙PC系统的加持下,其实华为平板和电脑已经彻底打通,只是产品侧重方向不同。
天马微电子发布全景沉浸天轩屏
在2025全球创新大会上,天马微电子推出贯穿式曲面屏全景沉浸天轩屏。该产品以49.6英寸R3000超弯弧度设计覆盖驾驶舱左右A柱,打造无视觉断点的沉浸空间,重新定义智能座舱主驾交互界面。
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据天马微电子介绍,天轩屏集成像素级调光技术,实现百万比一对比度,烈日下清晰可见,并有效抑制倒影、集成动态后视镜,全面提升行车安全,重新定义未来智能座舱主驾屏。天轩屏能够实现12000nits超高出屏亮度和仅6W的低功耗,突破了AR-HUD的亮度和功耗瓶颈。
此外,超薄模组设计兼容紧凑车型空间限制,而独有的MinPeak局部增亮技术可智能强化警示信息,确保HUD关键提示在极端光线下仍“一目了然”。
闪迪寻求力积电合作
据相关媒体报道,闪迪(SanDisk)正与力积电(Powerchip)推进合作谈判,计划共同开展NAND闪存制造,以应对当前存储芯片市场的价格上涨与供应紧张局面。据业内消息,双方拟依托力积电位于苗栗铜锣科学园区的新建晶圆厂推进合作,闪迪将提供关键半导体设备。若进展顺利,该产线有望于2026年上半年投片量产。
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此前,闪迪曾评估在美国密歇根州投资约500亿美元建厂,并与地方政府进行初步沟通,但该自建工厂计划现已终止。若合作落地,闪迪将借助力积电的制造能力加速实现产能多元化;力积电也有望借此拓展在存储芯片代工领域的业务布局。
目前双方尚未正式签署协议,谈判仍在进行中。
摩尔线程MUSA开发者大会2025定档
日前,摩尔线程MUSA开发者大会正式定档,将于12月19日-20日召开。这是首个以全功能GPU为核心、凝聚开发者的技术盛会,摩尔线程将发布全新产品和架构、核心技术及行业解决方案。
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目前已经开启报名,门票分两档,标准票定价88元,尊享票188元。其中,标准票仅能参与分论坛、展区自由参观、参会礼包,而尊享票多了主论坛参与资格。
摩尔线程还联合生态伙伴,共同打造面积超1000㎡的沉浸式“MUSA嘉年华”。现场设置多元主题展区,内容全面覆盖AI大模型&Agent、具身智能、科学计算、空间智能等前沿技术领域,并延伸至工业智造、数字孪生、数字文娱、智慧医疗等热门应用场景。
通过极具互动性的Live Demo,将现场观众带入一场可听、可见、可触、可达的科技盛宴,全方位呈现前沿创新的魅力。
三星计划扩大1cnm DRAM生产
据相关媒体的报道,三星正加速提升1cnm DRAM的产能,以抢占HBM4市场的先机。按照规划,三星的目标是在2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆,并于第四季度进一步增至每月20万片晶圆。这些节点对应设备设置阶段,目标是在每个阶段实现批量生产准备。
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目前,三星的DRAM总产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着最新的1cnm DRAM产能将在短时间内达到总产能的约30%,其增产速度已超过2022年半导体热潮期间月增13万片晶圆的扩张规模。
为实现这一目标,三星一方面通过对现有DRAM生产线进行技术改造实现过渡,另一方面则依托位于平泽的P4工厂进行新增投资。这一积极扩产举措,反映出三星对1cnm DRAM技术与市场需求的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求下,近期DRAM市场已出现供不应求的局面。
SK海力士也计划于2025年内启动1cnm DRAM的量产,并于2026年全面投产。预计到2026年底,其韩国国内通用DRAM产量中将有超过一半来自1cnm工艺,并形成包括LPDDR与GDDR在内的完整1cnm产品阵容。
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