北京
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从 “芯片无处不在” 到 “人工智能无处不在”，生成式 AI 将催生巨大价值，同时驱动社会经济多领域变革。
全球数据中心和边缘 AI 需求将大幅增长，2030 年占 SEMI 需求比重超 40%
芯片封装晶体管数量仍遵循每两年翻倍的摩尔定律，2030 年有望突破万亿晶体管。
生成式 AI 推动高性能计算能力增速远超摩尔定律，2030 年 AI 将主导数据中心需求。
高性能计算（HPC）的实现伴随巨大能源消耗，成为行业发展的关键瓶颈。
HPC 的扩展性无上限，但必须解决成本和能源消耗两大核心挑战。
ASML 通过 EUV 技术扩展，实现 2030 年晶体管印刷成本降低超 3.5 倍，同时减少环境影响。
ASML 通过多维度技术优化，实现更高晶体管密度、更低成本及环境影响。
EUV 技术历经 30 年发展迭代，已具备支撑未来十年半导体技术演进的能力。
光刻技术 roadmap 持续推动单位晶体管成本下降，EUV 技术优势逐步扩大。
高 NA EUV 技术为 2D 逻辑芯片设计提供更高自由度，实现成本降低与工艺简化。
高 NA EUV 技术支持 1.5D/2D 先进设计，满足 7 纳米节点 17 纳米间距的尖端需求。
2020 至 2039 年，逻辑金属间距从 28 纳米缩小至 10 纳米以下，边缘放置误差（EPE）从 5.8 纳米降至 3 纳米以下，体现了光刻技术精度对晶体管缩放的核心支撑作用。
2030 年后，当间距需求低于 16 纳米时，0.75NA（Hyper NA）技术将成为新的突破方向。
EUV 光源功率持续提升，已实现 740W 演示，未来有望突破 1000W。
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