鹏城半导体 CIOE中国光博会之旅圆满结束

9月13日，第25届中国国际光电博览会在深圳国际会展中心（宝安）圆满落下帷幕，作为全球光电领域最具影响力的盛会之一，本次展会汇聚了众多行业精英与前沿科技。

其中，以其丰富的产品及应用解决方案成为展会亮点，吸引了众多业界人士的目光。

展会现场回顾

为期三天的展会现场十分火热，鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体）在本次展会上展示了多个应用解决方案，包括：HFCVD热丝化学气相沉积解决方案、高真空磁控溅射（PVD）解决方案、多源大尺寸MBE解决方案、PECVD等离子体增强化学气相沉积解决方案等，精彩亮相展会现场，通过我们在现场的团队成员介绍，其鹏城半导体公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控，在现场备受认可。

HFCVD热丝化学气相沉积系统解决方案可用于微米晶、纳米晶金刚石晶圆片生产，也可制造防腐耐磨硬质涂层、金刚石BDD电极、太阳能薄膜电池等。

自主研发生产的单/双面镀膜热丝CVD金刚石设备可制备大尺寸金刚石晶圆片。

应用领域：第三代半导体、大功率激光器、10G通讯、微纳声学、功放器件、滤波器件等；可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。

高真空磁控溅射PVD解决方案：真空条件下利用蒸发或溅射在基体表面沉积薄膜的技术，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等，适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜，可镀制磁性材料和非磁性材料。

将磁控溅射薄膜沉积技术，升级到薄膜外延技术，为国内首创。该技术的突破，使设备有望在第三代半导体GaN和第四代半导体Ga2O3的外延工艺方面得到应用。

多源大尺寸MBE设备解决方案可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。

分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。

PECVD等离子体增强化学气相沉积解决方案

PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

鹏城半导体此次参展，展示了强大的研发实力与解决行业的痛点难点。未来，鹏城半导体将持续致力于攻克关键技术以及创新应用难题，自主开发先进微纳制造制备装备，推动在半导体领域及应用技术领域取得更大突破和发展，解决行业的痛点难点填补国内市场空白。